Binding energy of the free exciton in indium arsenide

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 55, Issue 7, 1997, Pages 4376-4381

  Tang, P ^a   Pullin, M ^a   Phillips, C ^a  

^a IMPERIAL COLLEGE LONDON   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0003970988     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.55.4376     Document Type: Article

References (32)

1. K. L. Vodopyanov, H. Graener, C. C. Phillips and T. J. Tate, Phys. Rev. B 46, 13 194 (1992).
2. S. Kalem, J. I. Chyi and H. Morko̧c, Appl. Phys. Lett. 53, 1647 (1988).
3. P. J. P. Tang, M. J. Pullin, S. J. Chung, C. C. Phillips, R. A. Stradling, A. G. Norman, Y. B. Li and L. Hart, Semicond. Sci. Technol. 10, 1177 (1995).
4. P. J. P. Tang, M. J. Pullin, S. J. Chung, C. C. Phillips, R. A. Strading, A. G. Norman, Y. B. Li and L. Hart, SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 2397, 389 (1995).
5. W. L. Walukiewicz, in Chemistry and Defects in Semiconductor Heterostructures, edited by M. Kawabe, T. D. Sands, E. R. Weber, and R. S. Williams, MRS Symposia Proceedings No. 148 (Materials Research Society, Pittsburgh, 1989), p. 137.
6. A. Balderschi and N. Lipari, Phys. Rev. B 3, 439 (1971).
7. S. R. Kurtz, R. M. Biefeld and L. R. Dawson, Phys. Rev. B 51, 7310 (1995).
8. M. Altarelli and N. O. Lipari, Phys. Rev. B 9, 1733 (1974).
9. P. D. Wang, S. N. Holmes, Tan Le, R. A. Stradling, I. T. Ferguson and A. G. de Oliveira, Semicond. Sci. Technol. 7, 767 (1992).
10. S. N. Smith, C. C. Phillips, R. H. Thomas, R. A. Stradling, I. T. Ferguson, A. G. Norman, B. N. Murdin and C. R. Pidgeon, Semicond. Sci. Technol. 7, 900 (1992).
11. W. L. Walukiewicz, Phys. Rev. B 37, 4760 (1988).
12. S. N. Holmes, R. A. Stradling, P. D. Wang, R. Droopad, S. D. Parker and R. L. Williams, Semicond. Sci. Technol. 4, 303 (1989).
13. P. J. P. Tang, C. C. Phillips and R. A. Stradling, Semicond. Sci. Technol. 8, 2135 (1993).
14. K. L. Vodopyanov, H. Graener, C. C. Phillips and T. J. Tate, J. Appl. Phys. 73, 627 (1993).
15. S. R. Kurtz and R. M. Biefeld, Appl. Phys. Lett. 66, 364 (1995).
16. M. Altarelli and N. O. Lipari, Phys. Rev. B 7, 3798 (1973).
17. S. B. Nam, D. C. Reynolds, C. W. Litton, R. J. Almassy and T. C. Collins, Phys. Rev. B 13, 761 (1976).
18. J. M. Luttinger and W. Kohn, Phys. Rev. 97, 869 (1955).
19. B. R. Nag, Appl. Phys. Lett. 65, 1938 (1994).
20. A. V. Varfolomeev, R. P. Seisyan and R. N. Yakimova, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 9, 804 (1975) [Sov. Phys. Semicond. 9, 530 (1975)].
21. R. J. Elliot and R. Loudon, J. Phys. Chem. Solids 15, 196 (1960).
22. O. Akimoto and H. Hasegawa, J. Phys. Soc. Jpn. 22, 181 (1967).
23. R. J. Elliot and R. Loudon, J. Phys. Chem. Solids 8, 382 (1959).
24. E. J. Johnson, Phys. Rev. Lett. 19, 352 (1967).
25. R. D. Grober and H. D. Drew, Phys. Rev. B 44, 13 374 (1991).
26. C. R. Pidgeon and R. N. Brown, Phys. Rev. 146, 575 (1966).
27. S. K. Lyo and S. R. Kurtz, Phys. Rev. B 52, 14 582 (1995).
28. G. M. Sundaram, R. J. Warburton, R. J. Nicholas, G. M. Summers, N. J. Manson and P. J. Walker, Semicond. Sci. Technol. 7, 985 (1992).
29. G. M. Sundaram, R. J. Warburton, R. J. Nicholas, G. M. Summers, N. J. Manson and P. J. Walker, Semicond. Sci. Technol. 7, 985 (1992).
30. Y. Lacriox, S. P. Watkins, C. A. Tran and M. L. W. Thewalt, Appl. Phys. Lett. 66, 1101 (1995).
31. S. P. Watkins, C. A. Tran, G. Soerensen, H. D. Cheung, R. A. Ares, Y. Lacroix and M. L. W. Thewalt, J. Electron. Mater. 24, 1583 (1995).
32. C. R. Pidgeon, D. L. Mitchell and R. N. Brown, Phys. Rev. 154, 737 (1967).