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Volumn 70, Issue 10, 1997, Pages 1305-1307

Surface topology of GaAs(100) after focused ion beam implantation of Si++

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EID: 0003636219     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.118519     Document Type: Article
Times cited : (19)

References (11)
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    • 85033180271 scopus 로고    scopus 로고
    • P. Kraisingdecha, C. Shwe, M. Gal, H. H. Tan, and C. Jagadish, (1994)
    • P. Kraisingdecha, C. Shwe, M. Gal, H. H. Tan, and C. Jagadish, (1994).


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.