Defect reduction in ZnSe grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates cleaned using atomic hydrogen

Applied Physics Letters

Volumn 69, Issue 1, 1996, Pages 82-84

  Yu, Zhonghai ^a   Buczkowski, S L ^a   Giles, N C ^a   Myers, T H ^a  

^a WEST VIRGINIA UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0003061009     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.118127     Document Type: Article

References (28)

1. M. A. Haase, J. Qiu, J. M. DePuydt, and H. Cheng, Appl. Phys. Lett. 59, 1272 (1991).
2. G. F. Neumark, R. M. Park, and J. M. DePuydt, Physics Today 47, 26 (1994).
3. S. Guha, J. M. DePuydt, M. A. Haase, J. Qiu, and H. Cheng, Appl. Phys. Lett. 63, 3107 (1993).
4. G. C. Hua, N. Otsuka, D. C. Grillo, Y. Fan, J. Han, M. D. Ringle, R. L. Gunshor, M. Hovinen, and A. V. Nurmikko, Appl. Phys. Lett. 65, 1331 (1994).
5. L. H. Kuo, L. Salamanca-Riba, B. J. Wu, G. Hofler, J. M. DePuydt, and H. Cheng, Appl. Phys. Lett. 67, 3298 (1995).
6. J. M. DePuydt, H. Cheng, J. E. Potts, T. L. Smith, and S. K. Mohapatra, J. Appl. Phys. 62, 4756 (1987).
7. M. Ohishi, H. Saito, H. Torihara, Y. Fujisaki, and K. Ohmori, J. Cryst. Growth 111, 792 (1991).
8. D. Li, M. Gonsalves, N. Otsuka, J. Qiu, M. Kobayashi, and R. L. Gunshor, Appl. Phys. Lett. 57, 449 (1990).
9. M. C. Tamargo, R. E. Nahory, B. J. Skromme, S. M. Shibli, A. L. Weaver, R. J. Martin, and H. H. Farrell, J. Cryst. Growth 111, 741 (1991).
10. R. Ruppert, D. Hommel, T. Behr, H. Heinke, A. Waag, and G. Landwehr, J. Cryst. Growth 138, 48 (1994).
11. E. J. Petit and F. Houzay, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 547 (1994).
12. T. Sugaya and M. Kawabe, Jpn. J. Appl. Phys. 30, L402 (1991).
13. M. Yamada, Y. Ide, and K. Tone, Jpn. J. Appl. Phys. 31, L1157 (1992).
14. Y. Okada, T. Fujita, and M. Kawabe, Appl. Phys. Lett. 67, 676 (1995).
15. H. Shimomura, Y. Okada, and M. Kawabe, Jpn. J. Appl. Phys. 31, L628 (1992).
16. H. Shimomura, Y. Okada, H. Matsumoto, M. Kawabe, Y. Kitami, and Y. Bando, Jpn. J. Appl. Phys. 32, 632 (1993).
17. Y. J. Chun, Y. Okada, and M. Kawabe, Jpn. J. Appl. Phys. 32, L1085 (1993).
18. C. M. Rouleau and R. M. Park, J. Appl. Phys. 73, 4610 (1993).
19. K. Shahzad, J. Petruzzello, D. J. Olego, D. A. Cammack, and J. M. Gaines, Appl. Phys. Lett. 57, 2452 (1990).
20. G. M. Williams, A. G. Cullis, K. Prior, J. Simpson, B. C. Cavenett, and S. J. A. Adams, Inst. Phys. Conf. Ser. 134, 671 (1993).
21. H. T. Lin, D. H. Rich, and D. B. Wittry, J. Appl. Phys. 75, 8080 (1994).
22. S. Myhajlenko, J. L. Batstone, H. J. Hutchinson, and J. W. Steeds, J. Phys. C 17, 6477 (1984).
23. K. Shahzad, D. J. Olego, and D. A. Cammack, Phys. Rev. B 39, 13016 (1989).
24. L. H. Kuo, L. Salamanca-Riba, J. M. DePuydt, H. Cheng, and J. Qiu, Appl. Phys. Lett. 63, 3197 (1993).
25. T. Yao, T. Matsumoto, S. Sasaki, C. K. Chung, Z. Zhu, and F. Nishiyama, J. Cryst. Growth 138, 290 (1994).
26. J. Qiu, J. M. DePuydt, H. Cheng, and M. A. Haase, Appl. Phys. Lett. 59, 2992 (1991).
27. C. Kothandaraman, G. F. Neumark, and R. M. Park, Appl. Phys. Lett. 67, 3307 (1995).
28. Y. Luo, D. A. Slater, and R. M. Osgood, Jr., Appl. Phys. Lett. 67, 55 (1995).