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Volumn 266-269 A, Issue , 2000, Pages 90-94

Guiding principles for obtaining stabilized amorphous silicon at larger growth rates

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EID: 0002958679     PISSN: 00223093     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0022-3093(99)00743-7     Document Type: Article
Times cited : (57)

References (5)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.