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Volumn 36, Issue 1-3, 1996, Pages 30-32

Stress-induced oxygen precipitation in Cz-Si

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Defect formation; High pressure; Oxygen precipitation; Silicon

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EID: 0002460003     PISSN: 09215107     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/0921-5107(95)01282-6     Document Type: Article
Times cited : (34)

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.