The diffusion of hydrogen in silicon and mechanisms for “unintentional” hydrogenation during ion beam processing

Journal of Materials Research

Volumn 2, Issue 1, 1987, Pages 96-106

  Seaeer, C H ^a   Anderson, R A ^a   Panitz, J K G ^a  

^a SANDIA NATIONAL LABORATORIES   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001902699     PISSN: 08842914     EISSN: 20445326     Source Type: Journal    
DOI: 10.1557/JMR.1987.0096     Document Type: Article

References (37)

1. N. M. Johnson, C. Herring, and D. J. Chadi, Phys. Rev. Lett. 56, 769 (1986).
2. J. I. Pankove, D. E. Carlson, J. E. Berkeyheiser, and R. O. Wance, Phys. Rev. Lett. 51, 2224 (1983).
3. J. I. Pankove, R. O. Wance, and J. E. Berkeyheiser, Appl. Phys. Lett. 45, 1100 (1984).
4. J. I. Pankove, C. W. Magee, and R. O. Wance, Appl. Phys. Lett. 47, 748 (1985).
5. A. J. Tavendale and A. A. Williams, Appl. Phys. Lett. 48, 590 (1986).
6. N. M. Johnson, Appl. Phys. Lett. 47, 874 (1986).
7. A. J. Tavendale, D. Alexiev, and A. A. Williams, Appl. Phys. Lett. 47, 316 (1985).
8. N. M. Johnson, Phys. Rev. B 31, 5525 (1985).
9. J. J. Hauser, Solid State Commun. 19, 1049 (1976).
10. P. J. Zanzucchi, C. R. Wronski, and D. E. Carlson, J. Appl. Phys. 48, 5227(1977).
11. J.I. Pankove, M. A. Lampert, and M. L. Tarng, Appl. Phys. Lett. 32, 439 (1978).
12. C. H. Seager and D. S. Ginley, Appl. Phys. Lett. 34, 337 (1979).
13. J. I. Pankove and M. L. Tarng, Appl. Phys. Lett. 32, 439 (1978).
14. E. H. Nicollian, C. N. Berglund, P. F. Schmidt, and J. M. Andrews, J. Appl. Phys. 42, 5654 (1971).
15. F. J. Feigl, D. R. Young, D. J. DiMaria, S. Lai, and J. Calise, J. Appl. Phys. 59, 5665 (1981).
16. R. Gale, F. J. Feigl, C. W. Magee, and D. R. Young, J. Appl. Phys. 54, 6938 (1983).
17. C. T. Sah, J. Y. Chen, and J. J. T. Tzou, J. Appl. Phys. 54, 944 (1983).
18. C. T. Sah, S. C. Pau, and C. C. Hsu, J. Appl. Phys. 57, 5148 (1985).
19. S. J., Pearton, A. J. Tavendale, A. A. Williams, and D. Alexiev, in the Proceedings of the Electrochemical Society, Boston, Massachusetts 4–9 May 1986, Abstract No. 188, p. 269.
20. N. M. Johnson, D. K. Biegelsen, and M. D. Moyer, Appl. Phys. Lett. 40, 882 (1982).
21. C. H. Seager, D. J. Sharp, J. K. G. Panitz, and R. V. D’Aiello, J. Vac. Sci. Technol. 20, 430 (1982).
22. S. T. Picraux and F. L. Vook, Phys. Rev. B 18, 2066 (1978).
23. C. W. Magee, J. A. Cohen, D. E. Voss, and D. K. Brice, Nucl. Instrum. Methods 168, 383 (1980).
24. A. E. Jaworowski, L. S. Wielunski, and T. W. Listerman, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 46, 561 (1985).
25. X. C. Mu, S. J. Fonash, and K. Singh, Appl. Phys. Lett. 49, 67 (1986).
26. S. Ashok and K. Giewont, Jpn. J. Appl. Phys. 24, C533 (1985).
27. R. Pinto and R. S. Babu, Appl. Phys. Lett. 48, 1427 (1986).
28. A. Van Wieringen and N. Warmholtz, Physics 22, 849 (1956).
29. S. J. Pearton, in the Proceedings of the 13 th International Conference on Defects in Semiconductors, Coronado, California, 12–17 August 1984, edited by L. C. Kimerling and J. M. Parsey, Jr. (AIME, New York, 1985), p. 737.
30. R. N. Hall, IEEE Trans. Nucl. Sci. NS-31, 320 (1984).
31. J. W. Corbett, S. N. Sahu, and T. S. Shi, Phys. Lett. A 93, 303 (1983).
32. A. Mainwood and A. M. Stoneham, J. Phys. C 17, 2513 (1984).
33. M. L. Knotek and J. E. Houston, J. Vac. Sci. Technol. 20, 544 (1982).
34. G. G. DeLeo, W. B. Fowler, and G. D. Watkins, Phys. Rev. B 29, 1819 (1984).
35. B. Bech Nielsen, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 59, 487 (1986).
36. W. M. Pontuschka, W. W. Carlos, P. C. Taylor, and R. W. Griffith, Phys. Rev. B 25, 4362 (1982).
37. M. V. Smoluchowski, Phys. Z. 17, 557 (1916).