Optical characterization of molecular beam epitaxially grown InAsSb nearly lattice matched to GaSb

Journal of Applied Physics

Volumn 84, Issue 1, 1998, Pages 480-488

  Marciniak, M A ^a,c   Hengehold, R L ^a   Yeo, Y K ^a   Turner, G W ^b  

^a AIR FORCE INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (United States)

^b MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (United States)

^c AIR FORCE RESEARCH LABORATORY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001763875     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.368051     Document Type: Article

References (32)

1. H. K. Choi, G. W. Turner, and Z. L. Liau, Appl. Phys. Lett. 65, 2251 (1994).
2. G. W. Turner, H. K. Choi, and H. Q. Le, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 699 (1995).
3. S. Elies, A. Krier, I. R. Cleverley, and K. Singer, J. Phys. D 26, 159 (1993).
4. Y. Mao and A. Krier, J. Cryst. Growth 133, 108 (1993).
5. T. F. Kuech, D. J. Wolford, E. Vuehoff, V. Deline, P. M. Potemski, and J. Bradley, J. Appl. Phys. 62, 632 (1987).
6. G. W. Turner, H. K. Choi, D. R. Calawa, J. V. Pantano, and J. W. Chludzinski, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 1266 (1994).
7. Semiconductors: Group IV Elements and Group III-V Compounds, edited by O. Madelung (Springer, Berlin, 1991).
8. M. A. Herman and H. Sitter, Molecular Beam Epitaxy, Fundamentals and Current Status (Springer, Berlin, 1989).
9. J. I. Pankove, Optical Processes in Semiconductors (Dover, New York, 1971).
10. F. Urbach, Phys. Rev. 92, 1324 (1953).
11. M. Shah, M. O. Manasreh, R. Kaspi, M. Y. Yen, B. A. Philips, M. Skowronski, and J. Shinar, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 325, 449 (1994).
12. J. C. Woolley and J. Warner, Can. J. Phys. 42, 1879 (1964).
13. M. Y. Yen, B. F. Levine, C. G. Bethea, K. K. Choi, and A. Y. Cho, Appl. Phys. Lett. 50, 927 (1987).
14. J. R. Dixon and J. M. Ellis, Phys. Rev. 123, 1560 (1961).
15. Y. P. Varshni, Physica (Utrecht) 34, 149 (1967).
16. W. M. Coderre and J. C. Woolley, Can. J. Phys. 46, 1207 (1968).
17. Z. M. Fang, K. Y. Ma, D. H. Jaw, R. M. Cohen, and G. B. Stringfellow, J. Appl. Phys. 67, 7034 (1990).
18. M. Y. Yen, R. People, K. W. Wecht, and A. Y. Cho, Appl. Phys. Lett. 52, 489 (1988).
19. H. R. Jen, K. Y. Ma, and G. B. Stringfellow, Appl. Phys. Lett. 54, 1154 (1989).
20. S. R. Kurtz, L. R. Dawson, R. M. Biefeld, D. M. Follstaedt, and B. L. Doyle, Phys. Rev. B 46, 1909 (1992).
21. S. R. Kurtz, R. M. Biefeld, L. R. Dawson, K. C. Baucom, and A. J. Howard, Appl. Phys. Lett. 64, 812 (1994).
22. M. ElAllali, C. B. Sorensen, and E. Veje, Phys. Rev. B 48, 4398 (1993).
23. A. Rogalski, Prog. Quantum Electron. 13, 191 (1989).
24. Y. B. Li, S. S. Dosanjh, I. T. Ferguson, A. G. Norman, A. G. de Oliviera, R. A. Stradling, and R. Zallen, Semicond. Sci. Technol. 7, 567 (1992).
25. G. Lucovsky and M. F. Chen, Solid State Commun. 8, 1397 (1970).
26. Y. T. Cherng, K. Y. Ma, and G. B. Stringfellow, Appl. Phys. Lett. 53, 886 (1988).
27. M. A. Marciniak, R. L. Hengehold, Y. K. Yeo, G. W. Turner, and M. W. Prairie, Inst. Phys. Conf. Ser. 155, 865 (1997).
28. J. Singh and K. K. Bajaj, Appl. Phys. Lett. 44, 1075 (1984).
29. A. Rogalski and K. Jozwikowski, Infrared Phys. 29, 35 (1989).
30. L. Pavesi and M. Guzzi, J. Appl. Phys. 75, 4779 (1994).
31. S. A. Lyon, J. Lumin. 35, 121 (1986).
32. I. T. Ferguson, A. G. Norman, B. A. Joyce, T. Y. Seong, G. R. Booker, R. H. Thomas, C. C. Phillips, and R. A. Stradling, Appl. Phys. Lett. 59, 3324 (1991).