Properties of Dielectric BaTiO3 Thin Films Prepared by Spray Pyrolysis

Chemistry of Materials

Volumn 10, Issue 7, 1998, Pages 2000-2005

  Golego, Nickolay ^a   Studenikin, S A ^a   Cocivera, Michael ^a  

^a UNIVERSITY OF GUELPH   (Canada)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001757509     PISSN: 08974756     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/cm980153+     Document Type: Article

References (31)

1. Joshi, P. C.; Desu, S. B. Thin Solid Films 1997, 300, 289.
2. Liu, W. T.; Cochrane, S.; Lakshmikumnr, S. T.; Knorr. D. B.; Rymaszewski, E. J.; Borrego, J. M.; Lu, T. M. IEEE Electron Device Lett. 1993, 14, 320.
3. Gill, D. M.; Block, B. A.; Conrad, C. W.; Weasels, B. W.; Ho, S. T. Appl. Phys. Lett. 1996, 69, 2968.
4. Ohen, S. N.; Ramakrishnan, E. S.; Grannemann, W. W. J. Vac. Sci. Technol. A 1986, 3, 678.
5. Block, B. A.; Weasels, B. W. Appl. Phys. Lett. 1994, 65, 25.
6. Batra, I. P.; Wuifel, P.; Silverman, B. D. Phys. Rev. B 1973, 8, 3257.
7. Takeuchi, T.; Yoshizawa, K.; Shiota, Y.; Nakamura, O.; Kageyama, H.; Yamabe, T. J. .Mater. Chem. 1997, 7, 969.
8. Golego, N.; Cocivera, M. J. Electrochem. Soc. 1997, 144, 736.
9. Golego, N.; Cocivera, M. Thin Solid Films 1998, in press.
10. Golego, N.; Studenikin, S. A.; Cocivera, M. J. Mater. Res. 1998, in press.
11. Studenikin, S. A.; Golego, N.; Cocivera, M. J. Appl. Phys. 1998, 83, 2104.
12. Kraus, W.; Nolze, G 1996, Powder Cell 1.8. ftp://ftp,kfajuelich.de/iwe/Xtallography/powdcell/pe 18.zip.
13. Windheim, J.; Renaud, I.; Cocivera, M. J. Appl. Phys. 1990, 67, 4167.
14. Windheim, J.; Wynands, H.; Cocivera, M. J. Electrochem. Soc. 1991, 138, 3435.
15. Nishizawa, H.; Katsube, M. J. Solid State Chem. 1997, 131, 43.
16. Takeuchi, T.; Tabuchi, M.; Ado, K.; Honjo, K.; Nakamura O Kageyama, H.; Suyama, Y.; Ohtori, N.; Nagasawa, M. J. Mater. Sci. 1997, 32, 4053.
17. Sonegawa, T.; Grigoriu, C.; Masugata, K.; Yatsui, K.; Shimotori, V.; Furuuchi, S.; Yamamoto H. Appl. Phys. Lett. 1996, 69, 2193.
18. Lu, X. M.; Zhu, J. S.; Zhang, W. Y.; Ma, G. Q.; Wang, Y. N. Thin Solid Films 1996, 274, 165.
19. Kamalasanan, M. N.; Deepak Kumar, N.; Chandra, S. J. Appl. Phys 1994,76, 4603.
20. Wolfram, T.; Kraut, E. A.; Morin, F. J. Phys. Rev. B 1973, 7, 1677.
21. Wolfram, T. Phys. Rev. Lett. 1972, 29, 1383.
22. Buse, K.; Riehemann, S.; Loheide, S.; Hesse, H.; Mersch, F.; Kratzig, E. Phys. Stat. Sol. A 1993, 135, K87.
23. Mohammed, M, S.; Naik, K.; Mantese, J. V.; Schubring, N. W.; Micheli, A. L.; Catalan, A. B. J. Mater. Res. 1996, 11, 2588.
24. Kuwabara, M.; Takahashi, S.; Kuroda, T. Appl. Phys, Lett. 1993, 62, 3372.
25. Kamalasanan, M. N.; Deepak Kumar, N.; Chandra, S. J. Appl. Phys. 1993, 74, 5679.
26. Zhu, W.; Wang, C. C.; Akbar, S. A.; Asiaie, R.; Dutta, P. K .; Alim, M. A. Jpn. J Appl. Phys. 1996, 35, 6145.
27. Russell, J. D.; Leach, C. J. Eur. Ceram. Soc. 1996, 16, 1035.
28. Sinclair, D. C.; West, A. R, J. Appl. Phys. 1889, 66, 3850
29. Gerthsen, P.; Hoffmann, B. Solid-State Electron. 1978, 16, 617
30. Cho, C.-R.;-Kwun, S. I.; Noh, T. W.; Jang, M. S. Jpn. J. Appl. Phys, 1997, 36, 2196.
31. Song, M H.; Lee, Y. H.; Hahn, T. S.; Oh, M. R.; Yoon, K. H. J. Appl. Phys. 1999, 79, 3744.