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Volumn 54, Issue 23, 1996, Pages 16989-16993

Exciton properties in p-type GaAAs quantum wells in the high doping regime

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EID: 0001682622     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.54.16989     Document Type: Article
Times cited : (20)

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    • (1963) Phys. Rev. , vol.133 , pp. 866
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.