Growth and fabrication of strained-layer InGaAs/GaAs quantum well lasers grown on GaAs(311)A substrates using only a silicon dopant

Journal of Applied Physics

Volumn 82, Issue 9, 1997, Pages 4551-4557

  Takahashi, Mitsuo ^a,b   Hirai, Manabu ^a,c   Fujita, Kazuhisa ^a   Egami, Norifumi ^a   Iga, Kenichi ^a,d  

^a ADVANCED TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE INTERNATIONAL   (Japan)

^b SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD   (Japan)

^c MURATA MANUFACTURING CO LTD   (Japan)

^d Prec and Intelligence Laboratory ^*  (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001659423     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.366191     Document Type: Article

References (27)

1. M. Shigeta, Y. Okano, H. Seto, H. Katahama, S. Nishine, and K. Kobayashi, J. Cryst. Growth 111, 248 (1991).
2. W. I. Wang, E. E. Mendez, T. S. Kuan, and L. Esaki, Appl. Phys. Lett. 47, 826 (1985).
3. J. M. Ballingall and C. E. C. Wood, Appl. Phys. Lett. 41, 947 (1982).
4. S. Subbanna, H. Kroemer, and J. L. Merz, J. Appl. Phys. 59, 488 (1986).
5. T. Takamori, T. Fukunaga, J. Kobayashi, K. Ishida, and H. Nakashima, Jpn. J. Appl. Phys. 26, 1097 (1987).
6. A. Shinoda, T. Yamamoto, M. Inai, T. Takebe, and T. Watanabe, Jpn. J. Appl. Phys. 32, L1374 (1993).
7. Y. Okano, H. Seto, H. Katahama, S. Nishine, I. Fujimoto, and T. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys. 28, L151 (1989).
8. K. Fujita, M. Inai, T. Yamamoto, M. Fujii, D. Lovell, T. Takebe, A. Shinoda, and K. Kobayashi, J. Cryst. Growth 127, 50 (1993).
9. K. Fujita and T. Watanabe, Jpn. J. Appl. Phys. 34, 430 (1995).
10. M. Takahashi, P. Vaccaro, T. Watanabe, T. Mukaihara, F. Koyama, and K. Iga. Jpn. J. Appl. Phys. 35, 6102 (1996).
11. M. Takahashi, P. Vaccaro, K. Fujita, and T. Watanabe, Appl. Phys. Lett. 66, 93 (1995).
12. N, Sakamoto, K. Hirakawa, and T. Ikoma, Appl. Phys. Lett. 67, 1444 (1995).
13. T. Yamamoto, M. Inai, T. Takebe, and T. Watanabe, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 631 (1993).
14. K. Sato, M. R. Fahy, and B. A. Joyce, Jpn. J. Appl. Phys. 33, L905 (1994).
15. K. Mochizuki, S. Goto, and C. Kusano, Appl. Phys. Lett. 58, 2939 (1991).
16. R, Nötzel, N. N. Ledentsov, L. Däweritz, M. Hohenstein, and K. Ploog, Phys. Rev. Lett. 67, 3812 (1991).
17. R. Nötzel, N. N. Ledentsov, L. Däweritz, K. Ploog, and M. Hohenstein, Phys. Rev. B 45, 3507 (1992).
18. R. Nötzel, L. Däweritz, and K. Ploog, Phys. Rev. B 46, 4736 (1992).
19. R. Nötzel and K. Ploog, Phys. Rev. B 49, 8499 (1994).
20. P. Blood, Semicond. Sci. Technol. 1, 7 (1986).
21. J. Z. Wilcox, G. L. Peterson, S. Ou, J. J. Yang, and M. Jansen, J. Appl. Phys. 64, 6564 (1988).
22. P. W. A. M. Ilroy, A. Kurobe, and Y. Uematsu, IEEE J. Quantum Electron. QE-21, 1958 (1985).
23. S. R. Chinn, P. S. Zory, and A. R. Reisinger, IEEE J. Quantum Electron. QE-24, 2191 (1988).
24. W. X. Zou, Z. M. Chuang, K-K. Law, N. Dagli, L. A. Coldren, and J. L. Merz, J. Appl. Phys. 69, 2857 (1991).
25. D. Feketa, K. T. Chan, J. M. Ballantyne, and L. F. Eastman, Appl. Phys. Lett. 49, 1659 (1986).
26. S. D. Offsey, W. J. Schaff, P. J. Tasker, H. Ennen, and L. F. Eastman, Appl. Phys. Lett, 54, 2527 (1989).
27. J. J. Coleman and K. J. Beernink, J. Appl. Phys. 75, 1879 (1994).