The effect of radio frequency plasma processing reactor circuitry on plasma characteristics

Journal of Applied Physics

Volumn 83, Issue 10, 1998, Pages 5087-5094

  Rauf, Shahid ^a   Kushner, Mark J ^a  

^a University of Illinois at Urbana Champaign   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001600183     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.367326     Document Type: Article

References (26)

1. P. A. Miller, H. Anderson, and M. P. Splichal, J. Appl. Phys. 71, 1171 (1992).
2. M. A. Sobolewski, J. Res. Natl. Inst. Stand. Technol. 100, 341 (1995).
3. J. H. Keller and W. B. Pennebaker, IBM J. Res. Dev. 23, 3 (1979).
4. A. J. van Roosmalen, Appl. Phys. Lett. 42, 416 (1983).
5. A. J. van Roosmalen, W. G. M. van der Hoek, and H. Kalter, J. Appl. Phys. 58, 653 (1983).
6. P. Bletzinger and M. J. Flemming, J. Appl. Phys. 62, 4688 (1987).
7. P. Bletzinger, J. Appl. Phys. 67, 130 (1990).
8. C. Beneking, J. Appl. Phys. 68, 4461 (1990).
9. V. A. Godyak, R. B. Piejak, and M. Alexandrovich, IEEE Trans. Plasma Sci. 19, 660 (1991).
10. A. Metze, D. W. Ernie, and H. J. Oskam, J. Appl. Phys. 60, 3081 (1986).
11. M. A. Lieberman, IEEE Trans. Plasma Sci. 16, 638 (1988).
12. M. A. Lieberman, J. Appl. Phys. 65, 4186 (1989).
13. V. A. Godyak and N. Sternberg, Phys. Rev. A 42, 2299 (1990).
14. M. E. Riley, Sandia report SAND95-0775 (1995).
15. P. J. Hargis, Jr., K. E. Greenberg, P. A. Miller, J. B. Gerardo, J. R. Torczynski, M. E. Riley, G. A. Hebner, J. R. Roberts, J. K. Olthoff, J. R. Whetstone, R. J. Van Brunt, M. A. Sobolewski, H. M. Anderson, M. P. Splichal, J. L. Mock, P. Bletzinger, A. Garscadden, R. A. Gottscho, G. Selwyn, M. Dalvie, J. E. Heidenreich, J. W. Butterbaugh, M. L. Brake, M. L. Passow, J. Pender, A. Lujan, M. E. Elta, D. B. Graves, H. H. Sawin, M. J. Kushner, J. T. Verdeyen, R. Horwath, and T. R. Turner, Rev. Sci. Instrum. 65, 140 (1994).
16. Special issue on the Gaseous Electronics Conference RF Reference Cell, J. Res. Natl. Inst. Stand. Technol. 100, 327-494 (1995).
17. M. A. Sobolewski, IEEE Trans. Plasma Sci. 23, 1006 (1995).
18. M. A. Sobolewski, Phys. Rev. E 56, 1001 (1997).
19. P. A. Miller and M. E. Riley, J. Appl. Phys. 82, 3689 (1997).
20. B. A. Rashap, M. Elta, H. Etemad, J. P. Fournier, J. S. Freudenberg, M. D. Giles, J. W. Grizzle, P. T. Kabamba, P. P. Khargonekar, S. Lafortune, S. M. Meerkov, J. R. Moyne, D. Teneketzis, and F. L. Terry, Jr., IEEE Trans. Semicond. Manuf. 8, 286 (1995).
21. P. L. G. Ventzek, R. J. Hoekstra, and M. J. Kushner, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 461 (1994).
22. W. Z. Collison and M. J. Kushner, Appl. Phys. Lett. 68, 903 (1996).
23. M. J. Kushner, W. Z. Collison, M. J. Grapperhaus, J. P. Holland, and M. S. Barnes, J. Appl. Phys. 80, 1337 (1996).
24. M. Turner and M. B. Hopkins, Phys. Rev. Lett. 69, 3511 (1992).
25. A. Lieberman and A. J. Lichtenberg, Principles of Plasma Discharges and Materials Processing (Wiley, New York, 1994).
26. S. Rauf and M. J. Kushner, J. Appl. Phys. 82, 2805 (1997).