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Volumn 60, Issue 3, 1999, Pages 1582-1591

Coulomb gap in a doped semiconductor near the metal-insulator transition: Tunneling experiment and scaling ansatz

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EID: 0001590435     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.60.1582     Document Type: Article
Times cited : (84)

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.