Formation of EL2, AsGa and U band in irradiated GaAs: Effects of annealing

Journal of Applied Physics

Volumn 80, Issue 3, 1996, Pages 1364-1369

  Jorio, A ^a   Carlone, C ^a   Parenteau, M ^a   Aktik, C ^a   Rowell, N L ^b  

^a UNIVERSITÉ DE SHERBROOKE   (Canada)

^b NATIONAL RESEARCH COUNCIL CANADA   (Canada)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001513444     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.363023     Document Type: Article

References (36)

1. G. M. Martin and S. Makram-Ebeid, in Deep Centers in Semiconductors - A State of the Art Approach, edited by S. T. Pantelides (Gordon and Breach Science, New York, 1986), Chap. 6, p. 399.
2. G. Guillot, Rev. Phys. Appl. 23, 833 (1988).
3. M. O. Manasreh, D. W. Fischer, and W. C. Mitchel, Phys. Status Solidi B 154, 11 (1989).
4. M. Kaminska and E. L. Weber, in Semiconductors and Semimetals, edited by E. L. Weber (Academic, Boston, 1993), Vol. 38, Chap. 2.
5. R. J. Wagner, J. J. Krebs, G. H. Strauss, and A. W. White, Solid State Commun. 36, 15 (1980).
6. H. J. von Bardeleben, D. Stievenard, D. Deresmes, A. Huber, and J. C. Bourgoin, Phys. Rev. B 34, 7192 (1986).
7. M. K. Nissen, A. Villemaire, and M. L. W. Thewalt, Phys. Rev. Lett. 67, 112 (1991).
8. K. Krambrook and J. M. Spaeth, Phys. Rev. B 45, 1481 (1992).
9. A. Jorio, A. Wang, M. Parenteau, C. Carlone, N. L. Rowell, and S. M. Khanna, Phys. Rev. B 50, 1557 (1994).
10. A. Jorio, M. Parenteau, M. Aubin, C. Carlone, S. M. Khanna, and J. W. Gerdes, Jr., IEEE Trans. Nucl. Sci. 41, 1937 (1994).
11. S. M. Khanna, A. Jorio, C. Carlone, M. Parenteau, A. Houdayer, and J. W. Gerdes, IEEE Trans. Nucl. Sci. 42, 2095 (1995).
12. C. Carlone, S. M. Khanna, N. L. Rowell, and J. W. Gerdes, Jr., Mater. Sci. Forum 65-66, 415 (1990).
13. G. M. Martin and S. Makram-Ebeid, Acta Electronica 25, 133 (1983).
14. C. E. Barnes, T. P. Zipperian, and L. R. Dawson, J. Electr. Mat. 14, 95 (1985).
15. A. Jorio, C. Rejeb, M. Parenteau, C. Carlone, and S. M. Khanna, J. Appl. Phys. 74, 2310 (1993).
16. H. Fujioka, J. Krueger, A. Prasad, X. Lui, E. R. Weber, and A. K. Verma, J. Appl. Phys. 78, 1470 (1995).
17. H. H. Tan, J. S. Williams, and C. Jagadish, J. Appl. Phys. 78, 1981 (1995).
18. S. M. Khanna, A. Jorio, C. Rejeb, M. Parenteau, C. Carlone, and J. W. Gerdes, Jr., IEEE Trans. Nucl. Sci. 40, 1350 (1993).
19. S. Kim, M. Kim, Y. Kim, K. S. Eom, S. Min, and C. Lee, J. Appl. Phys. 73, 4703 (1993).
20. G. M. Martin, A. Mitonneau, and A. Mircea, Electron. Lett. 13, 191 (1977).
21. Y. Kitagawara, N. Noto, T. Takahashi, and T. Takenaka, Appl. Phys. Lett. 48, 1664 (1986).
22. F. D. Auret, A. W. R. Leitch, and J. S. Vermaak, J. Appl. Phys. 59, 158 (1986).
23. J. C. Bourgoin, H. J. von Bardeleben, and D. Stievenard, J. Appl. Phys. 64, R65 (1988).
24. D. Pons and J. C. Bourgoin, J. Phys. C: Solid State Phys. 18, 3839 (1985).
25. F. D. Auret, S. A. Goodman, G. Myburg, W. O. Barnard, and D. T. L. Jones, J. Appl. Phys. 74, 4339 (1993).
26. J. B. Webb, G. H. Yousefi, and S. M. Khanna, Electron. Lett. 29, 1994 (1993).
27. G. Guillot, A. Nouailhat, G. Vincent, and M. Baldy, Rev. Phys. Appl. 15, 679 (1980).
28. S. T. Lai and B. D. Nener, J. Appl. Phys. 75, 2354 (1994).
29. H.-Z. Zhu, Y. Adachi, and T. Ikoma, J. Crystal Growth 55, 154 (1981).
30. T. Mattila and R. M. Nieminen, Phys. Rev. Lett. 74, 272 (1995).
31. R. B. Beall, R. C. Newman, J. E. Whitehouse, and J. Woodhead, J. Phys. C: Solid State Phys. 17, 2653 (1984).
32. A. Goltzene, B. Mayer, C. Schwab, S. G. Greenbaum, R. J. Wagner, and T. A. Kennedy, J. Appl. Phys. 56, 3394 (1984).
33. A. Goltzene, A. Mayer, C. Schwab, R. B. Beall, R. C. Newman, J. E. Whitehouse, and J. Woodward, J. Appl. Phys. 57, 5196 (1985).
34. A. Goltzene, B. Mayer, and C. Schwab, J. Appl. Phys. 57, 1332 (1985).
35. M. O. Manasreh and D. W. Fischer, Phys. Rev. B 40, 5814 (1989).
36. C. Carlone, C. Rejeb, A. Jorio, and M. Parenteau, Nucl. Instrum. Methods B 90, 405 (1994).