Evidence for the formation of unoccupied states in poly(2,3-diphenylphenylene vinylene) following the deposition of metal

Physical Review Letters

Volumn 76, Issue 2, 1996, Pages 299-302

  Ettedgui, E ^a   Razafitrimo, H ^a   Gao, Y ^a   Hsieh, B R ^b   Feld, W A ^c   Ruckman, M W ^d  

^a UNIVERSITY OF ROCHESTER   (United States)

^b XEROX CORPORATION   (United States)

^c WRIGHT STATE UNIVERSITY   (United States)

^d BROOKHAVEN NATIONAL LABORATORY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001490704     PISSN: 00319007     EISSN: 10797114     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevLett.76.299     Document Type: Article

References (31)

1. F. Cacialli, R. H. Friend, S. C. Moratti, and A. B. Holmes, Synth. Met. 67, 157 (1994).
2. Y. Yang, E. Westerweele, C. Zhang, P. Smith, and A. J. Heeger, J. Appl. Phys. 77, 694 (1995).
3. D. R. Baigen, N. C. Greenham, J. Grüner, R. N. Marks, R. H. Friend, S. C. Moratti, and A. B. Holmes, Synth. Met. 67, 3 (1994).
4. J. H. Burroughes, D. D. C. Bradley, A. R. Brown, R. N. Marks, K. Mackay, R. H. Friend, P. L. Burn, and A. B. Holmes, Nature (London) 347, 539 (1990).
5. N. F. Colaneri, D. D. C. Bradley, R. H. Friend, P. L. Burn, A. B. Holmes, and C. W. Spangler, Phys. Rev. B 42, 11 671 (1990).
6. D. Braun and A. J. Heeger, Appl. Phys. Lett. 58, 1982 (1991).
7. D. Braun, A. J. Heeger, and H. Kroemer, J. Electron. Mater. 20, 945 (1991). JECMA5
8. I. D. Parker, J. Appl. Phys. 75, 1656 (1994).
9. A. J. Heeger, I. D. Parker, and Y. Yang, Synth. Met. 67, 23 (1994).
10. E. Ettedgui, H. Razafitrimo, K. T. Park, Y. Gao, and B. R. Hsieh, J. Appl. Phys. 75, 7526 (1994).
11. E. Ettedgui, H. Razafitrimo, K. T. Park, Y. Gao, and B. R. Hsieh, Surface and Interface Analysis 23, 89 (1995).
12. B. R. Hsieh, E. Ettedgui, K. T. Park, and Y. Gao, Mol. Cryst. Liq. Cryst. 256, 381 (1994). MCLCE9
13. Y. Gao, K. T. Park, and B. R. Hsieh, J. Chem. Phys. 97, 6991 (1992). JCPSA6
14. Y. Gao, K. T. Park, and B. R. Hsieh, J. Appl. Phys. 73, 7894 (1993).
15. H. Razafitrimo, K. T. Park, E. Ettedgui, Y. Gao, and B. R. Hsieh, Polym. Int. 36, 147 (1995).
16. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York,1981), 2nd ed.
17. P. Dannetun, M. Löglund, W. R. Salaneck, C. Fredriksson, S. Stafström, A. B. Holmes, A. Brown, S. Graham, R. H. Friend, and O. Lhost, Mol. Cryst. Liq. Cryst. 228, 43 (1993). MCLCE9
18. P. Dannetun, M. Löglund, M. Fahlman, M. Boman, S. Stafström, W. R. Salaneck, R. Lazzaroni, C. Fredriksson, J. L. Brédas, S. Graham, R. H. Friend, A. B. Holmes, R. Zamboni, and C. Taliani, Synth. Met. 55–57, 212 (1993).
19. P. Dannetun, M. Löglund, M. Fahlman, C. Fauquet, D. Beljonne, J. L. Brédas, H. Bässler, and W. R. Salaneck, Synth. Met. 67, 81 (1994).
20. P. Dannetun, M. Fahlman, C. Fauquet, K. Kaerijama, Y. Sonoda, R. Lazzaroni, J. L. Brédas, and W. R. Salaneck, Synth. Met. 67, 133 (1994).
21. M. Löglund, P. Dannetun, C. Fredriksson, W. R. Salaneck, and J. L. Brédas, Synth. Met. 67, 141 (1994).
22. B. R. Hsieh, H. Antoniadis, M. A. Abkowitz, and M. Stolka, Polym. Prepr. 33, 414 (1992).
23. H. Antoniadis, B. R. Hsieh, M. A. Abkowitz, S. A. Jenekhe, and M. Stolka, Mol. Cryst. Liq. Cryst. 256, 381 (1994). MCLCE9
24. H. Antoniadis, M. A. Abkowitz, and B. R. Hsieh, Appl. Phys. Lett. 65, 2030 (1994).
25. J. Stöhr, NEXAFS Spectroscopy, Springer Series in Surface Science, Vol. 25 (Springer Verlag, Berlin,1992).
26. B. R. Hsieh, H. Antoniadis, D. C. Bland, and W. A. Feld, Adv. Mater. 7, 36 (1995).
27. T. Ohta, K. Seki, T. Yokoyama, I. Morisada, and K. Edamatsu, Phys. Scr. 41, 150 (1990).
28. T. Yokoyama, K. Seki, I. Morisada, K. Edamatsu, and T. Ohta, Phys. Scr. 41, 189 (1990).
29. B. Tian, G. Zerbi, and K. Müllen, J. Chem. Phys. 95, 3198 (1991). JCPSA6
30. V. Choong, Y. Park, Y. Gao, and B. R. Hsieh (unpublished).
31. G. Tourillon, A. Fontaine, Y. Jugnet, T. M. Duc, W. Braun, J. Feldhaus, and E. Holub-Krappe, Phys. Rev. B 36, 3483 (1987).