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Volumn 69, Issue 17, 1996, Pages 2578-2580

Improvement of SiGe oxide grown by electron cyclotron resonance using H2O vapor annealing

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EID: 0001451684     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.117705     Document Type: Article
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References (14)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.