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Volumn 53, Issue 9, 1996, Pages 5430-5437

Pressure dependence of Born effective charges, dielectric constant, and lattice dynamics in SiC

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EID: 0001391031     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.53.5430     Document Type: Article
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    • J. Liu (private communication).
    • Liu, J.1


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.