Dark current and infrared absorption of p-doped InGaAs/AlGaAs strained quantum wells

Applied Physics Letters

Volumn 73, Issue 8, 1998, Pages 1095-1097

  Zhang, D H ^a   Shi, W ^a  

^a NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001339172     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.122095     Document Type: Article

References (12)

1. B. F. Levine, C. G. Bethea, G. Glogovsky, J. W. Stayt, and R. E. Leibenguth, Semicond. Sci. Technol. 6, C114 (1991).
2. L. J. Kozlowski, G. M. Williams, G. J. Sullivan, C. W. Farley, R. J. Anderson, J. Chen, D. T. Cheung, W. E. Tennant, and R. E. DeWames, IEEE Trans. Electron Devices ED-38, 1124 (1991).
3. B. F. Levine, S. D. Gunapala, J. M. Kuo, S. S. Pei, and S. Hui, Appl. Phys. Lett. 59, 1864 (1991).
4. X. Zhou, P. K. Bhattacharya, G. Hugo, S. C. Hong, and E. Gulari, Appl. Phys. Lett. 54, 855 (1989).
5. H. C. Chui, S. M. Lord, E. Martinet, M. M. Fejer, and J. S. Harris, Appl. Phys. Lett. 63, 364 (1993).
6. V. W. L. Chin, T. L. Tansley, D. H. Zhang, K. Radhakrishnan, S. F. Yoon, and A. Clark, Appl. Phys. Lett. 65, 1430 (1994).
7. B. F. Levine, Appl. Phys. Lett. 74, R1 (1993).
8. K. Radhakrishnan, S. F. Yoon, H. M. Li, Z. Y. Han, and D. H. Zhang, J. Appl. Phys. 76, 246 (1994).
9. M. H. Moloney, J. Hegarty, L. Buydens, and P. Demeester, Appl. Phys. Lett. 64, 997 (1994).
10. R. L. Williams, M. Dion, F. Chatenoud, and K. Dzurko, Appl. Phys. Lett. 58, 1816 (1991).
11. J. F. Palmier, H. Le Person, C. Minot, A. Chomette, A. Regreny, and D. Calecki, Superlattices Microstruct. 1, 67 (1985).
12. K. K. Choi, B. F. Levine, R. J. Malik, J. Walker, and C. G. Bethea, Phys. Rev. B 35, 4172 (1987).