Photoluminescence properties of silicon quantum-well layers

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 55, Issue 7, 1997, Pages 4563-4574

  Saeta, P ^a   Gallagher, A ^a  

^a UNIVERSITY OF COLORADO   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001336746     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.55.4563     Document Type: Article

References (53)

1. L. T. Canham, Appl. Phys. Lett. 57, 1046 (1990).
2. K. A. Littau, P. J. Szajowski, A. J. Muller, A. R. Kortan and L. E. Brus, J. Phys. Chem. 97, 1224 (1993).
3. L. Brus, J. Phys. Chem.ibid. 98, 3575 (1994).
4. Y. Kanemitsu, Phys. Rev. B 48, 12 357 (1993).
5. H. Takagi, H. Ogawa, Y. Yamazaki, A. Ishizaki and T. Nakagiri, Appl. Phys. Lett. 56, 2379 (1990).
6. X.-n. Liu, X.-w. Wu, X.-m. Bao and Y.-l. He, Appl. Phys. Lett. 64, 220 (1994).
7. M. Rückschloss, B. Landkammer and S. Veprek, Appl. Phys. Lett. 63, 1474 (1993).
8. M. Rückschloss, O. Ambacher and S. Veprek, J. Lumin. 57, 1 (1993).
9. D. J. DiMaria, J. R. Kirtley, E. J. Pakulis, D. W. Dong, T. S. Kuan, F. L. Pesavento, T. N. Theis, J. A. Cutro and S. D. Brorson, J. Appl. Phys. 56, 401 (1984).
10. P. Mutti, G. Ghislotti, S. Bertoni, L. Bonoldi, G. F. Cerofolini and L. Meda, Appl. Phys. Lett. 66, 851 (1995).
11. M. K. Lee and K. R. Peng, Appl. Phys. Lett. 62, 3159 (1993).
12. Y. Kanemitsu, Phys. Rev. B 49, 16 845 (1994).
13. W. L. Wilson, P. F. Szajowski and L. E. Brus, Science 262, 1242 (1993).
14. Y. Kanemitsu, T. Ogawa, K. Shiraishi and K. Takeda, Phys. Rev. B 48, 4883 (1993).
15. G. W. 't Hooft, Y. A. R. R. Kessener, G. L. J. A. Rikken and A. H. J. Venhuizen, Appl. Phys. Lett. 61, 2344 (1992).
16. F. Koch, V. Petrova-Koch and T. Muschik, J. Lumin. 57, 271 (1993).
17. S. B. Zhang and A. Zunger, Appl. Phys. Lett. 63, 1399 (1993).
18. P. Saeta, J. F. Federici, R. J. Fischer, B. I. Greene, L. Pfeiffer, R. C. Spitzer and B. A. Wilson, Appl. Phys. Lett. 54, 1681 (1989).
19. M. S. Hybertsen, Phys. Rev. Lett. 72, 1514 (1994).
20. A. S. Amour, J. C. Sturm, Y. Lacroix and M. L. W. Thewalt, Appl. Phys. Lett. 65, 3344 (1994).
21. H. Presting, U. Menczigar and H. Kibbel, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 1110 (1993).
22. K. Chen, X. Huang, J. Xu and D. Feng, Appl. Phys. Lett. 61, 2069 (1992).
23. A. J. Kontkiewicz, A. M. Kontkiewicz, J. Siejka, S. Sen, G. Nowak, A. M. Hoff, P. Sakthivel, K. Ahmed, P. Mukherjee, S. Witanachchi and J. Lagowski, Appl. Phys. Lett. 65, 1436 (1994).
24. H. Tamura, M. Rückschloss, T. Wirschem and S. Veprek, Appl. Phys. Lett. 65, 1537 (1994).
25. P. N. Saeta and A. C. Gallagher, J. Appl. Phys. 77, 4639 (1995).
26. V. Petrova-Koch, T. Muschik, A. Kux, B. K. Meyer, F. Koch and V. Lehmann, Appl. Phys. Lett. 61, 943 (1992).
27. M. K. El-Ghor, S. J. Pennycook, F. Namavar and N. H. Karam, Appl. Phys. Lett. 57, 156 (1990).
28. A. Wittkower, M. Guerra, B. Cordts, R. Dolan and P. Sandow, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. Sect. B 55, 842 (1991).
29. S. K. Ghandhi, VLSI Fabrication Principles: Silicon and Gallium Arsenide (Wiley, New York, 1994).
30. Y. Takahashi, T. Ishiyama and M. Tabe, Appl. Phys. Lett. 65, 2987 (1994).
31. Handbook of Optical Constants of Solids, edited by E. D. Palik (Academic, Orlando, 1985).
32. M. Born and E. Wolf, Principles of Optics (Pergamon, Oxford, 1980), p. 627.
33. G. E. Jellison, Jr., and F. A. Modine, Appl. Phys. Lett. 41, 180 (1982).
34. W. H. Press, B. P. Flannery, S. A. Teukolsky, and W. T. Vetterling, Numerical Recipes (Cambridge University Press, Cambridge, England, 1987).
35. H. V. Nguyen, Y. Lu, S. Kim, M. Wakagi and R. W. Collins, Phys. Rev. Lett. 74, 3880 (1995).
36. The sample was made from p-type Si(100), 10-20 Ω cm, using a HF:(Formula presented)(Formula presented):(Formula presented):(Formula presented)O etch described in M. T. Kelly, J. K. M. Chun and A. B. Bocarsly, Appl. Phys. Lett. 64, 1693 (1994).
37. H. I. Liu, N. I. Maluf, R. F. W. Pease, D. K. Biegelsen, N. M. Johnson and F. A. Ponce, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 2846 (1992).
38. H. I. Liu, D. K. Biegelsen, N. M. Johnson, F. A. Ponce and R. F. W. Pease, J. Vac. Sci. Technol. Bibid. 11, 2532 (1993).
39. P. B. Fischer, K. Dai, E. Chen and S. Y. Chou, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 2524 (1993).
40. P. O. Hahn and M. Henzler, J. Vac. Sci. Technol. A 2, 574 (1984).
41. P. O. Hahn and M. Henzler, J. Appl. Phys. 52, 4122 (1981).
42. S. M. Goodnick, D. K. Ferry, C. W. Wilmsen, Z. Liliental, D. Fathy and O. L. Krivanek, Phys. Rev. B 32, 8171 (1985).
43. N. Sato and T. Yonehara, Appl. Phys. Lett. 65, 1924 (1994).
44. C. Delerue, G. Allan and M. Lannoo, Phys. Rev. B 48, 11 (1993).
45. L. Tsybeskov, J. V. Vandyshev and P. M. Fauchet, Phys. Rev. B 49, 7821 (1994).
46. J. C. Vial, A. Bsiesy, F. Gaspard, R. Hérino, M. Ligeon, F. Muller and R. Romestain, Phys. Rev. B 45, 14 171 (1992).
47. A. Bsiesy, F. Muller, M. Ligeon, F. Gaspard, R. Hérino, R. Romestain and J. C. Vial, Phys. Rev. Lett. 71, 637 (1993).
48. L. T. Canham, W. Y. Leong, M. I. J. Beale, T. I. Cox and L. Taylor, Appl. Phys. Lett. 61, 2563 (1992).
49. F. Koch (private communication).
50. R. Kakkad, J. Smith, W. S. Lau, S. J. Fonash and R. Kerns, J. Appl. Phys. 65, 2069 (1989).
51. R. Kakkad, S. J. Fonash and S. Weideman, Appl. Phys. Lett. 59, 3309 (1991).
52. R. R. Razouk and B. E. Deal, J. Electrochem. Soc. 126, 1573 (1979).
53. J. P. Proot, C. Delerue and G. Allan, Appl. Phys. Lett. 61, 1948 (1992).