Self-organization processes of InGaAs/GaAs quantum dots grown by metalorganic chemical vapor deposition

Applied Physics Letters

Volumn 68, Issue 23, 1996, Pages 3284-3286

  Heinrichsdorff, F ^a   Krost, A ^a   Grundmann, M ^a   Bimberg, D ^a   Kosogov, A ^b   Werner, P ^b  

^a TECHNISCHE UNIVERSITÄT BERLIN   (Germany)

^b MAX PLANCK INSTITUTE OF MICROSTRUCTURE PHYSICS   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001238658     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.116575     Document Type: Article

References (15)

1. N. Kirstaedter, N. N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg, V. M. Ustinov, S. S. Ruvimov, M. V. Maximov, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, U. Richter, P. Werner, U. Gösele, and J. Heidenreich, Electron. Lett. INS 30, 1416 (1994).
2. V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, P. S. Kop'ev, and D. Bimberg, Phys. Rev. Lett. AIP 75, 2968 (1995).
3. J. M. Moison, F. Houzay, F. Barthe, L. Leprince, E. Andre, and O. Vatel, Appl. Phys. Lett. AIP 64, 196 (1993).
4. A. Madhukar, Q. Xie, P. Chen, and A. Konkar, Appl. Phys. Lett. AIP 64, 2727 (1994).
5. N. N. Ledentsov, M. Grundmann, N. Kirstaedter, J. Christen, R. Heitz, J. Böhrer, F. Heinrichsdorff, D. B. S. S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gösele, J. Heydenreich, V. M. Ustinov, A. Y. Egorov, M. V. Maximov, P. S. Kop'ev, and Z. I. Alferov, in Proceedings of the 22nd International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS-22), edited by D. J. Lockwood (World Scientific, Singapore, 1995).
6. D. Leonard, M. Krishnamurthy, C. M. Reaves, S. P. Denbaars, and P. M. Petroff, Appl. Phys. Lett. AIP 63, 3203 (1993).
7. M. Grundmann, N. N. Ledentsov, R. Heitz, L. Eckey, J. Böhrer, D. Bimberg, S. S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, J. Heydenreich, V. M. Ustinov, A. Y. Egorov, A. E. Zhukov, P.S. Kop'ev, and Z. I. Alferov, Phys. Status Solidi B INS 188, 249 (1995).
8. S. Ruvimov, P. Werner, K. Scheerschmidt, J. Heydenreich, U. Richter, N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg, V. M. Ustinov, A. Y. Egorov, P. S. Kop'ev, and Z. I. Alferov, Phys. Rev. B AIP 51, 14766 (1995).
9. G. M. Gur'yanov, G. E. Tsyrlin, V. N. Petrov, Y. B. Samsonenko, V. B. Gubanov, N. K. Polyakov, A. O. Golubok, S. Y. Tipisev, E. P. Msikhina, and N. N. Ledentsov, Semiconductors AIP 29, 854 (1995).
10. J. Oshinowo, M. Nishioka, S. Ishida, and Y. Arakawa, Jpn. J. Appl. Phys. INS 33, L1634 (1994).
11. K. Mukai, N. Ohtsuka, M. Sugawara, and S. Yamazaki, Jpn. J. Appl. Phys. INS 33, L1710 (1994).
12. K. Georgson, N. Carlson, L. Samuelson, W. Seifert, and L. R. Wallenberg, Appl. Phys. Lett. AIP 67, 2981 (1995).
13. J. Massies, C. Deparis, C. Neri, G. Neu, B. Gil, P. Auvray, and A. Regreny, Appl. Phys. Lett. AIP 55, 2605 (1994).
14. Y. D. Galeuchetand P. Roentgen, J. Cryst. Growth INS 107, 147 (1991).
15. A. Krost, F. Heinrichsdorff, A. Darhuber, G. Bauer, and D. Bimberg, Appl. Phys. Lett. AIP 68, 574 (1996).