Two-step annealed polycrystalline silicon thin-film transistors

Journal of Applied Physics

Volumn 80, Issue 3, 1996, Pages 1883-1890

  Choi, Kwon Young ^a   Han, Min Koo ^a  

^a Seoul National University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001212787     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.363002     Document Type: Article

References (27)

1. W. G. Hawkins, IEEE Trans. Electron Devices ED-33, 477 (1986).
2. A. Mimura, G. Kawachi, T. Aoyama, T. Suzuki, Y. Nagae, N. Konishi, and Y. Mochizuki, IEEE Trans. Electron Devices ED-40, 513 (1993).
3. J. Y. T. Seto, J. Appl. Phys. 46, 5247 (1975).
4. G. Baccarani, B. Ricco, and G. Spadini, J. Appl. Phys. 49, 5565 (1978).
5. M. K. Hatalis and D. W. Greve, IEEE Electron Device Lett. EDL-8, 361 (1987).
6. T. I. Kamins, M. M. Mandurah, and K. C. Saraswat, J. Electrochem. Soc. 125, 927 (1978).
7. K. Ono, T. Aoyama, N. Konishi, and K. Miyata, IEEE Trans. Electron Devices ED-39, 792 (1992).
8. I.-W. Wu, A. G. Lewis, T. Y. Huang, and A. Chiang, IEEE Electron Device Lett. EDL-10, 123 (1989).
9. I.-W. Wu, T. Y. Huang, W. B. Jackson, A. G. Lewis, and A. Chiang, IEEE Electron Device Lett. EDL-12, 181 (1991).
10. Y. S. Kim, K. Y. Choi, S. K. Lee, B. H. Min, and M. K. Han, Jpn. J. Appl. Phys. 33, 649 (1994).
11. M. Bonnel, N. Duhamel, L. Haji, B. Loisel, and J. Stoemenos, IEEE Electron Device Lett. EDL-14, 551 (1993).
12. T. Aoyama, Y. Mochizuki, G. Kawachi, S. Oikawa, and K. Miyata, Jpn. J. Appl. Phys. B 30, L84 (1990).
13. N. Kodama, H. Tanabe, K. Sera, K. Hamada, S. Saitoh, F. Okumura, and K. Ikeda, in Extended Abstracts of International Conference on Solid State Devices and Materials, 1993, p. 431.
14. R. Carluccio, J. Stoemenos, G. Fortunato, D. B. Meakin, and M. Bianconi, Appl. Phys. Lett. 66, 1394 (1995).
15. T. Sameshima, S. Usui, and M. Sekiya, IEEE Electron Device Lett. EDL-7, 276 (1986).
16. T. Noguchi, H. Hayashi, and T. Ohshima, J. Electrochem. Soc. 134, 1771 (1987).
17. T. Sameshima and S. Usui, Appl. Phys. Lett. 59, 2724 (1991).
18. J. G. Fossum, A. Ortiz-Conde, H. Shichijo, and S. K. Banerjee, IEEE Trans. Electron Device ED-32, 1878 (1985).
19. S. K. Madan and D. A. Antoniadis, IEEE Trans. Electron Device ED-33, 1518 (1986).
20. T. Aoyama, Y. Koike, Y. Okajima, N. Konishi, T. Suzuki, and K. Miyata, IEEE Trans. Electron Device ED-38, 2058 (1991).
21. J. Levinson, F. R. Shepherd, P. J. Scanlom, W. D. Westwood, G. Este, and M. Rider, J. Appl. Phys. 53, 1993 (1982).
22. J. R. Hwang, J. S. Park, M. C. Jun, J. Jang, and M. K. Han, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 297, 913 (1993).
23. C. A. Dimitriadis and N. A. Economou, Appl. Phys. Lett. 59, 172 (1991).
24. B. A. Khan and P. Pandya, IEEE Trans. Electron Devices ED-37, 1727 (1990).
25. D. W. Greve, P. A. Potyraj, and A. M. Guzman, Solid-State Electron. 28, 1255 (1985).
26. Y. S. Kim, K. Y. Choi, M. C. Jun, and M. K. Han, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 345, 155 (1994).
27. I.-W. Wu, A. G. Lewis, T. Y. Huang, W. B. Jackson, and A. Chiang, in IEDM Technical Digest, 1990, p. 867.