Hole tunneling through the emitter-base junction of a heterojunction bipolar transistor

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 56, Issue 8, 1997, Pages 4836-4844

  Kumar, T ^a   Cahay, M ^a   Roenker, K ^a  

^a University of Cincinnati   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001163880     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.56.4836     Document Type: Article

References (30)

1. M. E. Kim, B. Bayraktaroglu, and A. Gupta, in HEMTs and HBTs: Device, Fabrication, and Circuits, edited by F. Ali and A. Gupta (Artech, Boston, 1991), Chap. 5.
2. P. M. Enquist, D. B. Slater, and J. W. Stuart, IEEE Electron Device Lett. 13, 180 (1992).
3. D. B. Slater, Jr., P. M. Enquist, A. S. Morris, and R. J. Trew, IEEE Electron Device Lett. 15, 91 (1994).
4. D. G. Hill, W. S. Lee, T. Ma, and J. S. Harris, IEEE Electron Device Lett. 11, 425 (1990).
5. W. Liu, D. Hill, D. Costa, and J. S. Harris, Electron. Lett. 26, 200 (1990).
6. J. F. Jensen, W. E. Stanchina, R. A. Metzger, D. B. Rensch, R. F. Lohr, R. W. Quen, M. W. Pierce, Y. K. Allen, and P. F. Lou, IEEE J. Solid-State Circuits 26, 415 (1991).
7. W. L. Chen, J. P. Sun, G. I. Haddad, M. E. Sherwin, G. O. Munns, J. R. East, and R. K. Mains, Appl. Phys. Lett. 61, 189 (1992).
8. W. E. Stanchina, R. A. Metzger, D. B. Rensch, L. M. Burns, J. F. Jensen, R. H. Walden, L. E. Larson, and P. T. Greiling (unpublished).
9. L. M. Lunardi, S. Chandrasekhar, and R. A. Hamm, IEEE Electron Device Lett. 14, 19 (1993).
10. R. J. Ferro, R. G. Wilson, J. F. Jensen, D. B. Rensch, W. E. Stanchina, R. A. Metzger, M. W. Pierce, T. V. Kargodorian, and Y. K. Allen, Solid-State Electron. 34, 1319 (1991).
11. A. Das and M. S. Lundstrom, J. Appl. Phys. 66, 2168 (1989).
12. T. Kumar, M. Cahay, S. Shi, K. Roenker, and W. E. Stanchina, J. Appl. Phys. 77, 5786 (1995).
13. T. Kumar, M. Cahay, S. Shi, and K. Roenker, J. Appl. Phys. 78, 6814 (1995).
14. S. L. Chuang, Phys. Rev. B 40, 10 379 (1989).
15. R. Wessel and M. Altarelli, Phys. Rev. B 39, 12 802 (1989).
16. C. Y. Chao and S. L. Chuang, Phys. Rev. B 43, 7027 (1991).
17. J. B. Xia, Phys. Rev. B 38, 8365 (1988).
18. J. Lee, C. Jagannath, M. O. Vassell, and E. S. Koteles, Phys. Rev. B 37, 4164 (1988).
19. Y. X. Liu, D. Z.-Y. Ting, and T. C. McGill, Phys. Rev. B 54, 5675 (1996).
20. M. Cahay, M. McLennan, and S. Datta, Phys. Rev. B 37, 10 125 (1988).
21. P. F. Bagwell, Phys. Rev. B 41, 10 354 (1990).
22. D. Y. K. Ko and J. C. Inkson, Phys. Rev. B 38, 9945 (1988).
23. A. D. Sanchez and C. R. Proetto, J. Phys. Condens. Matter 7, 2059 (1995).
24. J. M. Luttinger and W. Kohn, Phys. Rev. 97, 869 (1955).
25. L. C. Andreani, A. Pasquarello, and F. Bassani, Phys. Rev. B 36, 5887 (1987).
26. S. L. Chuang, Phys. Rev. B 43, 9649 (1991).
27. J. A. Hutchby, IEEE Electron Device Lett. EDL-7, 108 (1986).
28. A. A. Grindberg, Phys. Rev. B 33, 7256 (1986).
29. T. B. Boykin, J. Appl. Phys. 78, 6818 (1995).
30. T. B. Boykin, Phys. Rev. B 51, 4289 (1995).