Annealing properties of defects during Si-on-insulator fabrication by low-dose oxygen implantation studied by monoenergetic positron beams

Journal of Applied Physics

Volumn 87, Issue 4, 2000, Pages 1659-1665

  Uedono, Akira ^a   Tanigawa, Shoichiro ^a   Ogura, Atsushi ^b   Ono, Haruhiko ^b   Suzuki, Ryoichi ^c   Ohdaira, Toshiyuki ^c   Mikado, Tomohisa ^c  

^a UNIVERSITY OF TSUKUBA   (Japan)

^b NEC CORPORATION   (Japan)

^c ELECTROTECHNICAL LABORATORY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001078430     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.372074     Document Type: Article

References (30)

1. S. Nakashima and K. Izumi, J. Mater. Res. 8, 523 (1993).
2. K. Kajiyama, Appl. Surf. Sci. 85, 259 (1995).
3. S. Nakashima, IEICE Trans. Electron. E80-C, 364 (1997).
4. J. Stoemenos, A. Garicia, B. Aspar, and J. Margail, J. Electrochem. Soc. 142, 1248 (1995).
5. A. Yoshino and K. Kasama, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 37, 471 (1998).
6. H. Ono, T. Ikarashi, and A. Ogura, Appl. Phys. Lett. 72, 2853 (1998).
7. M. Ishimaru, T. Tsunemori, S. Harada, M. Arita, and T. Motooka, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 148, 311 (1999).
8. R. Krause-Rehberg and H. S. Leipner, Positron Annihilation in Semiconductors, Solid-State Sciences Vol. 127 (Springer, Berlin, 1999).
9. B. Nielsen, K. G. Lynn, T. C. Leung, B. F. Cordts, and S. Seraphin, Phys. Rev. B 44, 1812 (1991).
10. A. Uedono, L. Wei, S. Tanigawa, R. Suzuki, H. Ohgaki, T. Mikado, H. Kametani, H. Akiyama, Y. Yamaguchi, and M. Koumaru, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 32, 3682 (1993).
11. M. Fujinami, Phys. Rev. B 53, 13047 (1996).
12. A. C. Kruseman, H. Schut, A. van Veen, and M. Fujinami, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 148, 294 (1999).
13. M. J. Puska and C. Corbel, Phys. Rev. B 38, 9874 (1988).
14. M. Saito and A. Oshiyama, Phys. Rev. B 53, 7810 (1996).
15. A. van Veen, H. Schut, J. de Vries, R. A. Hakvoort, and M. R. Ijpma, AIP Conf. Proc. 218, 171 (1990).
16. A. Uedono, T. Kitano, K. Hamada, T. Moriya, T. Kawano, S. Tanigawa, R. Suzuki, T. Ohdaira, and T. Mikado, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 2571 (1997).
17. R. Suzuki, Y. Kobayashi, T. Mikado, H. Ohgaki, M. Chiwaki, T. Yamazaki, and T. Tomimasu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 30, L532 (1991).
18. P. Kirkegaard, M. Eldrup, O. E. Mogensen, and N. J. Pedersen, Comput. Phys. Commun. 23, 307 (1981).
19. J. Gabauer, S. Eichler, R. Krause-Rehberg, and H. P. Zeindl, Appl. Surf. Sci. 116, 247 (1997).
20. A. Uedono, T. Kitano, M. Watanabe, T. Moriya, T. Kawano, S. Tanigawa, R. Suzuki, T. Ohdaira, and T. Mikado, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 2000 (1996).
21. A. Uedono, S. Tanigawa, J. Sugiura, and M. Ogasawara, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 28, 1293 (1989).
22. A. Uedono, Y. Ujihira, A. Ikari, H. Haga, and O. Yoda, Hyperfine Interact. 79, 615 (1993).
23. S. Eichler, J. Gebauer, F. Borner, A. Polity, R. Krauserehberg, E. Wendler, B. Weber, W. Wesch, and H. Borner, Phys. Rev. B 56, 1393 (1997).
24. J. P. Biersack and L. G. Haggmark, Nucl. Instrum. Methods 174, 257 (1980).
25. A. Kawasuso, M. Hasegawa, M. Suezawa, S. Yamaguchi, and K. Sumino, Mater. Sci. Forum 175-178, 423 (1995).
26. A. Kawasuso, M. Suezawa, M. Hasegawa, S. Yamaguchi, and K. Sumino, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 34, 4579 (1995).
27. S. Danneafaer, D. Kerr, and B. G. Hogg, J. Appl. Phys. 54, 155 (1983).
28. A. Uedono, L. Wei, S. Tanigawa, R. Suzuki, H. Ohgaki, T. Mikado, T. Kawano, and Y. Ohji, J. Appl. Phys. 75, 3822 (1994).
29. A. Uedono, T. Kawano, S. Tanigawa, and H. Ito, J. Phys.: Condens. Matter 6, 8669 (1994).
30. A. Ogura, T. Tatsumi, T. Hamajima, and H. Kikuchi, Appl. Phys. Lett. 69, 1367 (1996).