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Volumn 77, Issue 16, 2000, Pages 2569-2571

Ultrashallow junctions in silicon formed by molecular-beam epitaxy using boron delta doping

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EID: 0001065508     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1319189     Document Type: Article
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References (16)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.