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Volumn 13, Issue 6, 1998, Pages 630-633

Investigation of InGaP/GaAs double-delta-doped heterojunction bipolar transistor

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EID: 0000998252     PISSN: 02681242     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1088/0268-1242/13/6/015     Document Type: Article
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References (16)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.