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Volumn 55, Issue 12, 1997, Pages 7624-7628

EL2 deep-level transient study in semi-insulating GaAs using positron-lifetime spectroscopy

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EID: 0000995998     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.55.7624     Document Type: Article
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References (16)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.