Trapping of Si interstitials in boron doping background: Boron clustering and the "+1" model

Journal of Applied Physics

Volumn 85, Issue 1, 1999, Pages 174-181

  Huang, M B ^a   Mitchell, I V ^a  

^a UNIVERSITY OF WESTERN ONTARIO   (Canada)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000893144     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.369466     Document Type: Article

References (33)

1. A. E. Michel, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 37/38, 379 (1989).
2. T. O. Sedgwick, A. E. Michel, V. R. Deline, S. A. Cohen, and J. B. Lasky, J. Appl. Phys. 63, 1452 (1988).
3. P. A. Stolk, H.-J. Gossmann, D. J. Eaglesham, D. C. Jacobson, C. S. Rafferty, G. H. Gilmer, M. Jaraíz, J. M. Poate, H. F. Luftman, and T. E. Haynes, J. Appl. Phys. 81, 6031 (1997).
4. D. J. Eaglesham, P. A. Stolk, H.-J. Gossmann, and J. M. Poate, Appl. Phys. Lett. 65, 2305 (1994).
5. A. Agarwal, T. E. Haynes, D. J. Eaglesham, H.-J. Gossmann, D. C. Jacobson, J. M. Poate, and Y. E. Erokhin, Appl. Phys. Lett. 70, 3332 (1997).
6. L. H. Zhang, K. S. Jones, P. H. Chi, and D. S. Simons, Appl. Phys. Lett. 67, 2025 (1995).
7. J. Liu, V. Krishnamoorthy, H.-J. Gossmann, L. Rubin, M. E. Law, and K. S. Jones, J. Appl. Phys. 81, 1656 (1997).
8. T. E. Haynes, D. J. Eaglesham, P. A. Stolk, H.-J. Gossmann, D. C. Jacobson, and J. M. Poate, Appl. Phys. Lett. 69, 1376 (1996).
9. J. Zhu, T. Diaz dela Rubia, L. H. Yang, C. Mailhiot, and G. H. Gilmer, Phys. Rev. B 54, 4741 (1996).
10. M. D. Giles, J. Electrochem. Soc. 138, 1160 (1991).
11. K. S. Jones and D. Venables, J. Appl. Phys. 69, 2931 (1991).
12. J. K. Listebarger, K. S. Jones, and J. A. Slinkman, J. Appl. Phys. 73, 4815 (1993).
13. D. J. Eaglesham, A. Agarwal, T. E. Haynes, H.-J. Gossmann, D. C. Jacobson, and J. M. Poate, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 120, 1 (1996).
14. G. Fladda, K. Björkqvist, L. Eriksson, and D. Sigurd, Appl. Phys. Lett. 16, 313 (1970).
15. M. B. Huang, T. W. Simpson, and I. V. Mitchell, Appl. Phys. Lett. 70, 1146 (1997).
16. M. B. Huang, U. Myler, T. W. Simpson, P. J. Simpson, and I. V. Mitchell, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 438, 367 (1997).
17. J. C. North and W. M. Gibson, Appl. Phys. Lett. 16, 126 (1970).
18. N. E. B. Cowern, A. Cacciato, J. S. Custer, F. W. Saris, and W. Vandervorst, Appl. Phys. Lett. 68, 1150 (1996).
19. H. S. Chao, S. W. Crowder, P. B. Griffin, and J. D. Plummer, J. Appl. Phys. 79, 2352 (1996).
20. K. S. Jones, J. Liu, L. Zhang, V. Krishnamoorthy, and R. T. DeHoff, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 106, 227 (1995).
21. M. Miyake, J. Appl. Phys. 57, 1861 (1985).
22. P. M. Fahey, P. B. Griffin, and J. D. Plummer, Rev. Mod. Phys. 61, 289 (1989).
23. C. Bonafos, A. Claverie, D. Alquier, C. Bergaud, A. Martinez, L. Laanab, and D. Mathiot, Appl. Phys. Lett. 71, 365 (1997).
24. S. Solmi, F. Baruffaldi, and R. Canteri, J. Appl. Phys. 69, 2135 (1991).
25. H. U. Jäger, J. Appl. Phys. 78, 176 (1995).
26. H. G. A. Huizing, C. C. G. Visser, N. E. B. Cowern, P. A. Stolk, and R. C. M. de Kruif, Appl. Phys. Lett. 69, 1211 (1996).
27. N. E. B. Cowern, H. G. A. Huizing, P. A. Stolk, C. C. G. Visser, R. C. M. de Kruif, K. Kyllesbech Larsen, V. Privitera, L. K. Nanver, and W. Crans, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 120, 14 (1996).
28. K. S. Jones, L. H. Zhang, V. Krishnamoorthy, M. Law, D. S. Simons, P. Chi, L. Rubin, and R. G. Elliman, Appl. Phys. Lett. 68, 2672 (1996).
29. R. B. Fair, in Impurity Doping Process in Silicon, edited by F. F. Yang (North-Holland, Amsterdam, 1981), p. 315.
30. F. F. Morehead and R. F. Lever, Appl. Phys. Lett. 48, 151 (1986).
31. L. Pelaz, M. Jaraiz, G. H. Gilmer, H.-J. Gossmann, C. S. Rafferty, D. J. Eaglesham, and J. M. Poate, Appl. Phys. Lett. 70, 2285 (1997).
32. M. J. Caturla, M. D. Johnson, and T. D. de la Rubia, Appl. Phys. Lett. 72, 2736 (1998).
33. S. B. Herner, H.-J. Gossmann, L. P. Pelaz, G. H. Gilmer, M. Jaraíz, D. C. Jacobson, and D. J. Eaglesham, J. Appl. Phys. 83, 6182 (1998).