New plasma chemistries for dry etching of InGaAIP alloys: BI3 and BBr3

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 16, Issue 5, 1998, Pages 2690-2694

  Hong, J ^a   Cho, H ^a   Maeda, T ^a,d   Abernathy, C R ^a   Pearton, S J ^a   Shul, R J ^b   Hobson, W S ^c  

^a University of Florida   (United States)

^b SANDIA NATIONAL LABORATORIES   (United States)

^c LUCENT TECHNOLOGIES   (United States)

^d FUJITSU LABORATORIES LTD   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000840551     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (30)

1. J. M. Kim, Thin Solid Films 231, 158 (1993).
2. W. Liu and S. K. Fan, IEEE Electron Device Lett. EDL-13, 510 (1992).
3. W. Pletschen, K. H. Bachen, and T. Lauberbach, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 240, 493 (1992).
4. M. Nihei, N. Hara, H. Suehiro, and S. Kuroda, Solid-State Electron. 41, 1647 (1997).
5. F. Ren, J. R. Lothian, H. S. Tsai, J. M. Kuo, J. Lin, J. S. Weiner, R. W. Ryan, A. Take, and Y. K. Chen, Solid-State Electron. 41, 1913 (1997).
6. Y. C. Wang, J. M. Kuo, F. Ren, J. R. Lothian, J. S. Weiner, J. Lin, W. E. Mayo, and Y. K. Chen, IEEE Electron Device Lett. EDL-18, 550 (1997).
7. D. A. Ahmari, M. T. Fresina, Q. J. Hartuanm, D. W. Banlage, U. Feng, and G. S. Stillman, IEEE Electron Device Lett. EDL-18, 559 (1997).
8. K. Mochizuki, T. Tanove, T. Oka, K. Ouchi, K. Hirata, and T. Nakamura, IEEE Electron Device Lett. EDL-18, 512 (1997).
9. J. M. Kuo, Y. J. Chen, and D. Pavlidis, Appl. Phys. Lett. 62, 1105 (1993).
10. S. S. Lu, C. L. Huang, and T. P. Sun, Solid-State Electron. 38, 25 (1995).
11. B. Pereiaslavets, K. H. Bachen, J. Braunstein, and L. F. Eastman, IEEE Trans. Electron Devices ED-43, 1659 (1996).
12. J. Dickmann, M. Berg, A. Geyer, H. D'Aembkes, F. Scholz, and M. Moser, IEEE Trans. Electron Devices ED-42, 2 (1995).
13. W. S. Hobson, F. Ren, J. R. Lothian, and S. J. Pearton, Semicond. Sci. Technol. 7, 598 (1992).
14. C. R. Abernathy, F. Ren, P. Wisk, S. J. Pearton, and R. Esagvi, Appl. Phys. Lett. 61, 1092 (1992).
15. A. Kikuchi, Y. Kancho, I. Nomura, and K. Kizhino, Electron. Lett. 26, 1668 (1990).
16. D. P. Bour, in Quantum Well Lasers, edited by P. S. Zory (Academic, Boston, 1993), pp. 415-460.
17. W. S. Hobson, Proceedings of the Symposium on Wide Bandgap Semiconductors and Devices (The Electrochemical Society, Pennington, NJ, 1995), pp. 26-42.
18. J. R. Lothian, J. M. Kuo, F. Ren, and S. J. Pearton, J. Electron. Mater. 21, 441 (1992).
19. J. W. Lee, S. J. Pearton, C. J. Santana, J. R. Milehum, E. S. Lambers, C. R. Abernathy, F. Ren, and W. S. Hobson, J. Electrochem. Soc. 143, 1093 (1996).
20. R. J. Shul, R. D. Schnider, and C. Constantine, Electron. Lett. 30, 817 (1994).
21. F. Ren, J. R. Lothian, J. M. Kuo, W. S. Hobson, J. Lopata, J. A. Cabellero, S. J. Pearton, and M. W. Cohe, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 1758 (1996).
22. J. Hong, J. W. Lee, C. J. Santana, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, W. S. Hobson, and F. Ren, Semicond. Sci. Technol. 11, 1218 (1996).
23. J. Hong, J. W. Lee, E. S. Lambers, C. R. Abernathy, C. J. Santana, S. J. Pearton, W. S. Hobson, and F. Ren, J. Electron. Mater. 25, 1428 (1996).
24. J. Hong, J. W. Lee, E. S. Lambers, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, C. Constantine, and W. S. Hobson, J. Electrochem. Soc. 143, 3656 (1996).
25. D. C. Flanders, L. D. Pressaron, and G. Pinelli, J. Vac. Sci. Technol. B 8, 1990 (1990).
26. S. J. Pearton, Int. J. Mod. Phys. B 8, 1781 (1994).
27. I. Adesida, K. Nummila, E. Andideh, J. Hughes, C. Conean, R. Bhut, and R. Holstum, J. Vac. Sci. Technol. B 8, 1357 (1990).
28. S. J. Pearton, U. K. Chahrabarti, W. S. Hobson, C. R. Abernathy, A. Ketz, F. Ren, T. A. Fullowan, and A. P. Perley, J. Electrochem. Soc. 139, 1763 (1992).
29. C. R. Abernathy, Mater. Sci. Eng., R. 14, 203 (1995).
30. W. S. Hobson, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 300, 75 (1993).