Deep emission band at GaInP/GaAs interface

Journal of Applied Physics

Volumn 81, Issue 2, 1997, Pages 771-776

  Uchida, Kazuo ^a   Arai, Takayuki ^a   Matsumoto, Koh ^a  

^a TAIYO NIPPON SANSO CORPORATION   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000800389     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.364138     Document Type: Article

References (16)

1. F. Omnes and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 59, 1034 (1991).
2. F. E. G. Guimaraes, B. Elsner, R. Westphalen, B. Spangenberg, H. J. Geelen, P. Balk, and K. Heime, J. Cryst. Growth 124, 199 (1992).
3. C. Y. Tsai, M. Moser, C. Geng, V. Harle, T. Foner, P. Michler, A. Hangleiter, and F. Scholz, J. Cryst. Growth 145, 786 (1994).
4. Q. Liu, S. Derksen, A. Lindner, F. Scheffer, W. Prost, and F.-J. Tegude, J. Appl. Phys. 77, 1154 (1995).
5. A. Gomyo, T. Suzuki, K. Kobayashi, S. Kawata, I. Hino, T. Yuasa, Appl. Phys. Lett. 50, 673 (1987).
6. T. Kobayashi, K. Taira, F. Nakamura, and H. Kawai, J. Appl. Phys. 65, 4898 (1989).
7. T. W. Lee, P. A. Houston, R. Kumar X. F. Yang, G. Hill, M. Hopkinson, and P. A. Claxton, Appl. Phys. Lett. 4, 474 (1992).
8. D. Biswas, N. Debbar, P. Bhattacharya, M. Razeghi, M. Defour, and F. Omnes, Appl. Phys. Lett. 56, 833 (1990).
9. M. A. Rao, E. J. Caine, H. Kroemer, S. I. Long, and D. I. Babic, J. Appl. Phys. 61, 643 (1987).
10. J. Chen, J. R. Sites, I. L. Spain, M. J. Hafich, and G. Y. Robinson, Appl. Phys. Lett. 85, 744 (1991).
11. S.-H. Wei, and A. Zunger, Appl. Lett. 56, 662 (1990).
12. F. A. J. M. Driessen, G. J. Bauhuis, S. M. Olsthoorn, and L. J. Giling, Phys. Rev. B 48, 7889 (1993).
13. J. Feldman, G. Peter, E. O. Gröbel, P. Dawson, K. Moore, C. Foxon, and R. J. Elliott, Phys. Rev. 168, 922 (1968).
14. E. W. Williams, Phys. Rev. 168, 922 (1967).
15. E. W. Williams, Brit. J. Appl. Phys. 18, 253 (1967).
16. E. W. Williams, J. W. Allen, and G. L. Pearson, Phys. Rev. 160, 627 (1967).