Carrier transport mechanism of Ohmic contact to p-type diamond

Journal of Applied Physics

Volumn 81, Issue 10, 1997, Pages 6815-6821

  Yokoba, M ^a   Koide, Yasuo ^a   Otsuki, A ^a   Ako, F ^a   Oku, T ^a   Murakami, Masanori ^a  

^a KYOTO UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000776327     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.365240     Document Type: Article

References (37)

1. K. Shenai, R. S. Scott, and B. J. Baliga, IEEE Trans. Electron Devices 36, 1811 (1989).
2. R. J. Trew, J. B. Yan, and P. M. Mock, Proc. IEEE 79, 598 (1991).
3. M. W. Geis, D. D. Rathman. D. J. Ehrlich, R. A. Murphy, and W. T. Lindley, IEEE Electron Device Lett. EDL-8, 341 (1987).
4. G. Sh. Gildenblat, S. A. Grot, C. R. Wronski, A. R. Badzian, T. Badzian, and R. Messier, Appl. Phys. Lett. 53, 586 (1988).
5. M. C. Hicks, C. R. Wronski, S. A. Grot, G. Sh. Gildenblat, A. R. Badzian, T. Badzian, and R. Messier, J. Appl. Phys. 65, 2139 (1989).
6. D. A. Jeng, H. S. Tuan, R. F. Salat, and G. J. Fricano, J. Appl. Phys. 68, 5902 (1990).
7. H. Shiomi, Y. Nishibayashi, and N. Fujimori, Jpn. J. Appl. Phys. 1 29, L2163 (1990).
8. T. P. Humphreys, J. V. LaBrasca, R. J. Nemanich, K. Das, and J. B. Posthill, Jpn. J. Appl. Phys. 1 30, L1409 (1991).
9. C. R. Zeisse, C. A. Hewett, R. Nguyen, J. R. Zeidler, and R. G. Wilson, IEEE Electron Device Lett. 12, 602 (1991).
10. S. A. Grot, G. Sh. Gildenblat, C. W. Hatfield, C. R. Wronski, A. R. Badzian, T. Badzian, and R. Messier, IEEE Electron Device Lett. 11, 100 (1990).
11. C. A. Hewett and J. R. Zeidler, Diam. Relat. Mater. 2, 1319 (1992).
12. K. Nishimura, K. Das, M. Iwase, J. T. Glass, and K. Kobashi, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 162, 341 (1990).
13. V. Venkatesan and K. Das, IEEE Electron Device Lett., 13, 126 (1992).
14. Y. Mori, H. Kawarada, and A. Hiraki, Appl. Phys. Lett. 58, 940 (1991).
15. G. Kawaguchi, J. Nakanishi, T. Oku, A. Otsuki, and M. Murakami, J. Appl. Phys. 75, 5165 (1994).
16. J. Nakanishi, A. Otsuki, T. Oku, O. Ishiwata, and M. Murakami, J. Appl. Phys. 76, 2293 (1994).
17. T. Tachibana, B. E. Williams, and J. T. Glass, Phys. Rev. B 45, 11 975 (1992).
18. K. L. Moazed, R. Nguyen, and J. R. Zeidler, IEEE Electron Device Lett. EDL-9, 350 (1988).
19. H. Shiomi, H. Nakahata, T. Imai Y. Nishibayashi, and N. Fujimori, Jpn. J. Appl. Phys. 1 28, 758 (1989).
20. F. Fang, C. A. Hewett, M. G. Fernandes, and S. S. Lau, IEEE Trans. Electron Devices TED-36, 1783 (1989).
21. K. L. Moazed, J. R. Zeidler, and M. J. Tailor, J. Appl. Phys. 68, 2246 (1990).
22. D. Narducci, J. J. Cuomo, C. R. Guarnieri, and S. J. Whitehair, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 162, 333 (1990).
23. K. L. Moazed, J. R. Zeidler, M. J. Taylor, and C. A. Hewett, Diamond and Diamond-Like Films and Coatings (Plenum. New York. 1991), p. 781.
24. H. H. Berger, Solid-State Electron. 15, 145 (1972).
25. G. K. Reeves and H. B. Harrison, IEEE Electron Device Lett. EDL-3, 111 (1982).
26. G. R. Marlow and M. B. Das, Solid-State Electron. 25, 91 (1982).
27. D. K. Schroder and D. L. Meier, IEEE Trans. Electron Devices ED-31, 637 (1984).
28. A. Y. C. Yu, Solid-State Electron. 13, 239 (1970).
29. F. A. Padovani and R. Stratton, Solid-State Electron. 9, 695 (1966).
30. C. R. Crowell and V. L. Rideout, Solid-State Electron. 12, 89 (1969).
31. A. W. S. Williams, E. C. Lightowlers, and A. T. Collins, J. Phys. C 3, 1727 (1970).
32. J. E. Field, The Properties of Diamond (Academic, London, 1979), p. 653.
33. J. A. von Windheim, V. Venkatesan, D. M. Malta, and K. Das, J. Electron. Mater. 22, 391 (1993).
34. JCPDS card. No. 35-804.
35. H. B. Michaelson, J. Appl. Phys. 48, 4729 (1977).
36. F. P. Bundy, Physica A 156, 169 (1989).
37. J. C. Angus and C. C. Hayman. Science 241, 913 (1988).