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Volumn 71, Issue 6, 1993, Pages 883-886

Boron diffusion in strained Si1-xGex epitaxial layers

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EID: 0000755647     PISSN: 00319007     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevLett.71.883     Document Type: Article
Times cited : (116)

References (31)
  • 15
    • 84927897743 scopus 로고    scopus 로고
    • Corresponding to a difference between the Si-Si and Ge-Ge bond energies of 78 and 63 kcal/mol, respectively.


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.