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Volumn 79, Issue 9, 1996, Pages 7148-7156

Stress measurements in silicon devices through Raman spectroscopy: Bridging the gap between theory and experiment

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EID: 0000736871     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.361485     Document Type: Article
Times cited : (333)

References (24)
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    • 5844227536 scopus 로고
    • Mathematisch-Naturwissenschaftlichen Fakultät der Rheinisch-Westfälischen Technuschen Hochschule, Aachen (in German)
    • P. Graf, Diplomarbeit in Physik, Mathematisch-Naturwissenschaftlichen Fakultät der Rheinisch-Westfälischen Technuschen Hochschule, Aachen (in German), 1990.
    • (1990) Diplomarbeit in Physik
    • Graf, P.1


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.