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Physical Review B

Volumn 49, Issue 4, 1994, Pages 2477-2483

Precipitation, aggregation, and diffusion in heavily arsenic-doped silicon

(6) Nobili, D a Solmi, S b Parisini, A b Derdour, M b Armigliato, A b Moro, L c

a UNIVERSITY OF BOLOGNA (Italy)

b CNR (Italy)

c ITC IRST (Italy)

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EID: 0000657992 PISSN: 01631829 EISSN: None Source Type: Journal
DOI: 10.1103/PhysRevB.49.2477 Document Type: Article

Times cited : (85)

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.