Si and Si/P implants in In0.5Ga0.5P and In0.5Al0.5P

Applied Physics Letters

Volumn 68, Issue 24, 1996, Pages 3473-3475

  Zolper, J C ^a   Chui, H C ^a  

^a SANDIA NATIONAL LABORATORIES   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000563961     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.115763     Document Type: Article

References (13)

1. H. Asahi, Y. Kawamura, and H. Nagai, J. Appl. Phys. AIP 54, 6958 (1983).
2. K. Kobayashi, I. Hino, A. Gomyo, S. Kawata, and T. Suzuki, IEEE J. Quantum Electron. INS 23, 704 (1987).
3. J. H. Quigley, M. J. Hafich, H. Y. Lee, R. E. Stave, and G. Y. Robinson, J. Vac. Sci. Technol. B AIP 7, 358 (1989).
4. D. P. Bour, J. R. Shealy, G. W. Wisks, and W. J. Schaff, Appl. Phys. Lett. AIP 50, 615 (1987).
5. J. S. Yuan, M. T. Tsai, C. H. Chen, R. M. Cohen, and G. B. Stringfellow, J. Appl. Phys. AIP 60, 1346 (1986).
6. S. Adachi, J. Appl. Phys. AIP 63, 64 (1988).
7. K. Wantanabe, F. Hyuga, H. Yamazaki, and T. Nittono, J. Appl. Phys. AIP 78, 5939 (1995).
8. S. J. Pearton, J. M. Kuo, F. Ren, A. Katz, and A. P. Perley, Appl. Phys. Lett. AIP 59, 1467 (1991).
9. S. J. Pearton, W. S. Hobson, J. M. Kuo, H. S. Luftman, A. Katz, and F. Ren, Appl. Phys. Lett. AIP 60, 1117 (1992).
10. F. Hyuga, H. Yamazaki, K. Wanatabe, and J. Osaka, Appl. Phys. Lett. AIP 50, 1592 (1987).
11. A. Dodabalapur and B. G. Streetman, J. Electron. Mater. INS 18, 65 (1989).
12. J. C. Zolper, J. F. Klem, A. G. Baca, M. E. Sherwin, M. J. Hafich, and T. J. Drummond, J. Appl. Phys. (in press).
13. M. E. Sherwin, J. C. Zolper, A. G. Baca, T. J. Drummond, R. J. Shul, A. J. Howard, D. J. Rieger, R. P. Schnieder, and J. F. Klem, J. Electron. Mater. INS 23, 809 (1994).