The effect of strain-induced polarization fields on impact ionization in a multiquantum-well structure

Applied Physics Letters

Volumn 73, Issue 19, 1998, Pages 2784-2786

  Doshi, Bhautik ^a   Brennan, Kevin F ^a   Bicknell Tassius, Robert ^b   Grunthaner, Frank ^b  

^a GEORGIA INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (United States)

^b CALIFORNIA INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000541411     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.122590     Document Type: Article

References (25)

1. D. L. Smith, Solid State Commun. 57, 919 (1986).
2. E. A. Caridi, T. Y. Chang, K. W. Goossen, and L. F. Eastman, Appl. Phys. Lett. 56, 659 (1990).
3. E. S. Snow, B. V. Shanabrook, and D. Gammon, Appl. Phys. Lett. 56, 758 (1990).
4. X. Li, K. F. Longenbach, and W. I. Wang, Appl. Phys. Lett. 60, 1513 (1992).
5. R. Gaska, J. W. Yang, A. D. Bykhovski, M. S. Shur, V. V. Kaminski, and S. M. Soloviov, Appl. Phys. Lett. 72, 64 (1998).
6. P. M. Asbeck, E. T. Yu, S. S. Lau, G. J. Sullivan, J. Van Hove, and J. Redwing, Electron. Lett. 33, 1230 (1997).
7. E. T. Yu, G. J. Sullivan, P. M. Asbeck, C. D. Wang, D. Qiao, and S. S. Lau, Appl. Phys. Lett. 71, 2794 (1997).
8. T. F. Kuech, R. T. Collins, D. L. Smith, and C. Mailhiot, J. Appl. Phys. 67, 2650 (1990).
9. J. L. Sanchez-Rojas, A. Sacedon, F. Calle, E. Calleja, and E. Muñoz, Appl. Phys. Lett. 65, 2214 (1994).
10. R. Chin, N. Holonyak, Jr., G. E. Stillman, J. Y. Tang, and K. Hess, Electron. Lett. 16, 467 (1980).
11. F. Capasso, W. T. Tsang, A. L. Hutchinson, and G. F. Williams, Appl. Phys. Lett. 40, 38 (1982).
12. T. Kagawa, Y. Kawamura, H. Asai, M. Naganuma, and O. Mikami, Appl. Phys. Lett. 55, 993 (1989).
13. T. Kagawa, H. Asai, and Y. Kawamura, IEEE Photonics Technol. Lett. 3, 815 (1991).
14. K. Brennan, K. Hess, and F. Capasso, Appl. Phys. Lett. 50, 1897 (1987).
15. R. Gaska, J. W. Yang, A. Osinsky, A. D. Bykhovski, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 71, 3673 (1997).
16. F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 56, R10024 (1997).
17. K. Kim, W. R. L. Lambrecht, and B. Segall, Phys. Rev. B 50, 1502 (1994).
18. A. D. Bykhovski, B. L. Gelmont, and M. S. Shur, J. Appl. Phys. 81, 6332 (1997).
19. S. N. Mohammad, A. A. Salvador, and H. Morkoc, Proc. IEEE 83, 1306 (1995).
20. J. Kolnik, I. H. Oguzman, K. F. Brennan, R. Wang, and P. P. Ruden, J. Appl. Phys. 81, 726 (1997).
21. K. F. Brennan and Y. Wang, IEEE Trans. Electron Devices 35, 634 (1988).
22. K. Brennan, IEEE Trans. Electron Devices ED-34, 782 (1987).
23. K. Brennan, IEEE J. Quantum Electron. QE-22, 1999 (1986).
24. H. M. Menkara, B. K. Wagner, and C. J. Summers, Appl. Phys. Lett. 66, 1764 (1995).
25. H. M. Menkara, B. K. Wagner, and C. J. Summers, Opt. Mater. 6, 103 (1996).