Nature of the bulk defects in GaAs through high-temperature quenching studies

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 54, Issue 16, 1996, Pages 11290-11297

  Reddy, C ^a   Fung, S ^a   Beling, C ^a  

^a UNIVERSITY OF HONG KONG   (Hong Kong)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000541408     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.54.11290     Document Type: Article

References (37)

1. G. Eftekhari, Semicond. Sci. Technol. 10, 1408 (1995).
2. B. Tell, K. F. Brown-Goebeler and C. L. Cheng, Appl. Phys. Lett. 52, 299 (1988).
3. S. L. Wright, R. F. Marks, S. Tiwari, T. N. Jackson and H. Baratte, Appl. Phys. Lett. 49, 1545 (1986).
4. Z.-Q. Fang, T. E. Schlesinger and A. G. Milnes, J. Appl. Phys. 61, 5047 (1987).
5. H. Indusekhar and V. Kumar, Phys. Status Solidi A 95, 269 (1986).
6. C. V. Reddy, S. Fung and C. D. Beling, Rev. Sci. Instrum. 67, 257 (1996).
7. G. M. Martin, A. Mitonneau and A. Mircea, Electron. Lett. 13, 191 (1977).
8. A. Yahata and M. Nakajima, Jpn. J. Appl. Phys. 23, L313 (1984).
9. M. G. Lupo, A. Cola, L. Vasanelli and A. Valentini, Phys. Status Solidi A 124, 473 (1991).
10. F. D. Auret, A. W. R. Leitch and J. S. Vermaak, J. Appl. Phys. 59, 158 (1986).
11. A. Christou, W. T. Anderson, Jr., and H. M. Day, Solid-State Electron. 28, 329 (1985).
12. S. J. Pearton, J. Appl. Phys. 53, 4509 (1982).
13. H. Y. Cho, E. K. Kim, S.-K. Min, J. B. Kim and J. Jang, Appl. Phys. Lett. 53, 856 (1988).
14. E. R. Weber, H. Ennon, U. Kaufmann, J. Windscheif, J. Schneider and T. Wosinski, J. Appl. Phys. 53, 6140 (1982).
15. H. J. von Bardeleben, D. Stiévenard, D. Deresmes, A. Huber and J. C. Bourgoin, Phys. Rev. B 34, 7192 (1986).
16. G. A. Baraff and M. Schlüter, Phys. Rev. Lett. 55, 2340 (1985).
17. J. F. Wager and J. A. Van Vechten, Phys. Rev. B 35, 2330 (1987).
18. S.-K. Min, E. K. Kim and H. Y. Cho, J. Appl. Phys. 63, 4422 (1988).
19. K. Saarinen, P. Hautojärvi, P. Lanki and C. Corbel, Phys. Rev. B 44, 10t585 (1991).
20. K. Saarinen, S. Kuisma, P. Hautojärvi, C. Corbel and C. LeBerre, Phys. Rev. Lett. 70, 2794 (1993).
21. R. Krause, K. Saarinen, P. Hautojärvi, A. Polity, G. Gärtner and C. Corbel, Phys. Rev. Lett. 65, 3329 (1990).
22. J. Dabrowski and M. Scheffler, Phys. Rev. B 40, 10t391 (1989).
23. J. C. Bourgoin, H. J. von Bardeleben and D. Stiévenard, J. Appl. Phys. 64, R65 (1988).
24. G. M. Martin, E. Estéve, P. Langlade and S. Makram-Ebeid, J. Appl. Phys. 56, 2655 (1984).
25. K. Laasonen, R. M. Nieminen and M. J. Puska, Phys. Rev. B 45, 4122 (1992).
26. G. M. Martin, and S. Makram-Ebeid, Physica 116, B, 371 (1983).
27. J. Samitier, J. R. Morante, L. Giraudet and S. Gourrier, Appl. Phys. Lett. 48, 1138 (1986).
28. H. Shiraki, Y. Tokuda, and K. Sassa, in Defect- and Impurity-Engineered Semiconductors and Devices, edited by S. Ashok, J. Chevallier, I. Akasaki, N. M. Johnson, and C. L. Sapori, MRS Symposium Proceedings No. 378 (Materials Research Society, Pittsburgh, 1995), p. 935.
29. R. Yakimova, T. Paskova and Ch. Hardalov, J. Appl. Phys. 74, 6170 (1993).
30. D. Stiévenard, X. Boddaert, J. C. Bourgoin, and H. J. von Bardeleben, Phys. Rev. B 41, 5271 (1990).
31. S. Pöykkö, M. J. Puska and R. M. Nieminen, Phys. Rev. B 53, 3813 (1996).
32. N. Arnold, R. Schmittk and K. Heine, J. Phys. D 17, 443 (1984).
33. D. Pons, A. Mircea and J. C. Bourgoin, J. Appl. Phys. 51, 4150 (1980).
34. D. Pons and J. C. Bourgoin, J. Phys. C 18, 3839 (1985).
35. K. Saarinen, A. P. Seitsonen, P. Hautojärvi and C. Corbel, Phys. Rev. B 52, 10t932 (1995).
36. G. Dlubek and R. Krause, Phys. Status Solidi A 102, 443 (1987).
37. D. V. Lang, R. A. Logan and L. C. Kimmerling, Phys. Rev. B 15, 4874 (1977).