Efficiency of TiN diffusion barrier between Al and Si prepared by reactive evaporation and rapid thermal annealing

Journal of Applied Physics

Volumn 79, Issue 10, 1996, Pages 7612-7620

  Gagnon, G ^a   Currie, J F ^a   Brebner, J L ^a   Darwall, T ^b  

^a ÉCOLE POLYTECHNIQUE DE MONTRÉAL   (Canada)

^b Mitel Networks Corporation   (Canada)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000307710     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.362418     Document Type: Article

References (29)

1. J.-O. McCaldin and H. Sankur, Appl. Phys. Lett. 19, 524 (1971).
2. D. Pramanik and A. N. Saxena, Solid-State Technol. January, 127 (1983).
3. M.-A. Nicolet, Thin Solid Films 52, 415 (1978).
4. P. S. Ho, Thin Solid Films 96, 301 (1982).
5. M. C. Alperin, T. C. Hollaway, R. A. Haken, C. D. Gosmeyer, R. V. Karnaugh, and W. D. Parmantie, IEEE J. Solid-State Circ. SC-20, 61 (1985).
6. J.-E. Sundgren, Thin Solid Films 128, 21 (1985).
7. N. Kumar, K. Pourrezaei, M. Fissel, T. Begley, B. Lee, and E. C. Douglas, J. Vac. Sci. Technol. A 5, 1778 (1987).
8. L. Ouellet, paper presented at the Tenth International VLSI Multilevel Interconnection Conference, 1993.
9. M. Repeta, L. Dignard-Bailey, J. F. Currie, J. L. Brebner, and K. Barla, J. Appl. Phys. 63, 2796 (1988).
10. G. Gagnon, J. F. Currie, J. L. Brebner, S. C. Gujrathi, G. Béique, and L. Ouellet, J. Appl. Phys. 75, 1565 (1994).
11. L. R. Doolittle, Nucl. Instrum. Methods B 9, 344 (1985).
12. S. J. Proctor, L. W. Linholm, and J. A. Mazer, IEEE Trans. Electron. Devices ED-30, 1535 (1983).
13. H. H. Berger, Solid-State Electron. 15, 145 (1972).
14. W. M. Loh, S. E. Swirhun, T. A. Schreyer, R. M. Swanson, and K. C. Saraswat, IEEE Trans. Electron. Devices ED-34, 512 (1987).
15. G. Gagnon, Ph.D. thesis, Université de Montréal, Montréal, 1994.
16. R. Manory, Surf. Eng. 3, 95 (1987).
17. K. Hashimoto and H. Onoda, Appl. Phys. Lett. 54, 120 (1989).
18. G. A. Dixit, F. S. Chen, H. Zhang, G. D. Yao, C. C. Wei, and F. R. Liou, MRS Symp. Proc. 260, 833 (1992).
19. H. Mathieu, Physique des Semiconducteurs et des Composants Électroniques (Masson, Paris, 1987).
20. D. B. Scott, W. R. Hunter, and H. Schichijo, IEEE J. Solid-State Circ. SC-17, 281 (1982).
21. H. R. Liauh, M. C. Chen, J. F. Chen, and L. J. Chen, J. Appl. Phys. 74, 2590 (1993).
22. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1981).
23. S. P. Murarka and D. B. Fraser, J. Appl. Phys. 51, 393 (1980).
24. C. M. Osburn, T. Brat, D. Sharma, D. Griffis, S. Corcoran, S. Lin, W.-K. Chu, and N. Parikh, J. Electrochem. Soc. 135, 1490 (1988).
25. H. K. Park, J. Sachitano, M. McPherson, T. Yamaguchi, and G. Lehman, J. Vac. Sci. Technol. A 2, 264 (1984).
26. R. Beyers, D. Coulman, and P. J. Merchant, J. Appl. Phys. 61, 5110 (1987).
27. J. S. Choi, Y. S. Hwang, S. H. Paek, J. E. Oh, T. U. Sim, and J. G. Lee, J. Appl. Phys. 72, 297 (1992).
28. J. Amano, K. Nauka, M. P. Scott, J. E. Turner, and R. Tsai, Appl. Phys. Lett. 49, 737 (1986).
29. J. Amano, P. Merchant, and T. Koch, Appl. Phys. Lett. 44, 744 (1984).