Propagating high-electric-field domains in semi-insulating GaAs:mExperiment and theory

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 55, Issue 23, 1997, Pages 15591-15600

  Piazza, F ^a   Christianen, P ^a   Maan, J ^a  

^a RADBOUD UNIVERSITY NIJMEGEN   (Netherlands)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000206316     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.55.15591     Document Type: Article

References (32)

1. E. Schöll, Physica B 135, 271 (1985).
2. J. Pozela, A. Namajunas, A. Tomasevicius and J. Ulbikas, Appl. Phys. A 48, 181 (1989).
3. E. Schöll, Nonequilibrium Phase Transitions in Semiconductors (Springer-Verlag, Berlin, 1987).
4. B. Willing and J. C. Maan, Phys. Rev. B 49, 13 995 (1994).
5. D. C. Northrop, P. R. Thornton and K. E. Trezise, Solid State Electron. 7, 17 (1964).
6. H. K. Sacks and A. G. Milnes, Int. J. Electron. 28, 565 (1970).
7. H. K. Sacks and A. G. Milnes, Int. J. Electron. 30, 49 (1971).
8. B. K. Ridley and P. H. Wisbey, Brit. J. Appl. Phys. 18, 761 (1967).
9. B. K. Ridley, J. J. Crisp and F. Shishiyony, J. Phys. C 5, 187 (1972).
10. M. F. Leach and B. K. Ridley, J. Phys. Cibid. 11, 2265 (1987).
11. D. A. Johnson, Appl. Phys. Lett. 51, 1152 (1987).
12. G. N. Marakas, Solid State Electron. 32, 1887 (1989).
13. U. Rau, Phys. Lett. A 152, 356 (1991).
14. S. W. Teitsworth, R. M. Westervelt and E. E. Haller, Phys. Rev. Lett. 51, 825 (1983).
15. M. Kikuchi, M. Suzuki and T. Shibuya, Jpn. J. Appl. Phys. 1, 188 (1962).
16. D. G. Seiler, C. L. Littler, R. J. Justice and P. W. Milonni, Phys. Lett. 108A, 462 (1985).
17. M. Kaminska, J. M. Parsey, J. Lagowski and H. C. Gatos, Appl. Phys. Lett. 41, 989 (1982).
18. D. C. Look, Semicond. Semimet. 38, 91 (1993).
19. V. Ya. Prinz and B. A. Boblyev, Sov. Phys. Semicond. 14, 1097 (1981).
20. S. P. McAlister, Z.-M. Li and D. J. Day, Can. J. Phys. 69, 207 (1991).
21. M. A. Abdela and B. K. Jones, Solid State Electron. 36, 237 (1993).
22. Y. V. Vorobev, E. I. Tolpygo and M. K. Sheinkman, Phys. Status Solidi B 123, 295 (1984).
23. G. N. Marakas, W. Porod, D. A. Johnson and D. C. Ferry, Physica B 134, 276 (1985).
24. J. Pozela, A. Tomasevicius and J. Ulbikas, Solid State Electron. 31, 805 (1988).
25. J. Lusakowski, M. Jezewski, W. Knap and W. Kuszko, Acta Phys. Pol. A 73, 183 (1988).
26. Z. S. Gribnikov, K. Hess and G. A. Kosinovsky, Appl. Phys. Lett. 77, 1337 (1995).
27. S. M. Sze, in Physics of Semiconductor Devices (Wiley, Singapore, 1981).
28. F. Piazza, P. C. M. Christianen and J. C. Maan, Appl. Phys. Lett. 69, 1909 (1996).
29. S. Makram-Ebeid and M. Lannoo, Phys. Rev. B 25, 6406 (1982).
30. M. Rajbenbach, J. M. Verdiell and J. P. Huijnard, Appl. Phys. Lett. 51, 1152 (1987).
31. D. A. Johnson, R. A. Puechner and G. N. Marakas, J. Appl. Phys. 67, 300 (1990).
32. W. Knap, Solid State Electron. 31, 813 (1988).