Carbon-related defects in carbon-doped GaAs by high-temperature annealing

Journal of Applied Physics

Volumn 82, Issue 3, 1997, Pages 1208-1213

  Fushimi, Hiroshi ^a   Wada, Kazumi ^a  

^a NTT CORPORATION   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000116963     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.365890     Document Type: Article

References (25)

1. Y. C. Pao, T. Hierl, and T. Cooper, J. Appl. Phys. 60, 201 (1986).
2. P. Enquist, J. A. Hutchby, and T. J. de Lyon, J. Appl. Phys. 63, 4485 (1988).
3. N. Kobayashi, T. Makimoto, and Y. Horikoshi, Appl. Phys. Lett. 50, 1435 (1987).
4. W. S. Hobson, S. J. Pearton, D. M. Kozuch, and M. Stavola, Appl. Phys. Lett. 60, 3259 (1992).
5. L. W. Yang, P. D. Wright, V. Eu, Z. H. Lu, and A. Majerfeld, J. Appl. Phys. 72, 2063 (1992).
6. S. A. Stockman, A. W. Hanson, S. L. Jackson, J. E. Baker, and G. E. Stillman, Appl. Phys. Lett. 62, 1248 (1993).
7. M. Konagai, International Conference on Shallow Impurities in Semiconductors (Kobe, Japan, 5-8 August 1992), Mater. Sci. Forum. 117-118, 37 (1993).
8. S. A. Stockman, G. E. Höfler, J. N. Ballargeon, K. C. Hsieh, K. Y. Cheng, and G. E. Stillman, J. Appl. Phys. 72, 981 (1992).
9. C. R. Abernathy, S. J. Pearton, F. Ren, W. S. Hobson, T. R. Fullowan, A. Katz, A. S. Jordan, and J. Kovalchick, J. Cryst. Growth 105, 375 (1990).
10. K. Watanabe and H. Yamazaki, Appl. Phys. Lett. 59, 434 (1991).
11. T. J. de Lyon, N. I. Buchan, P. D. Kirchner, J. M. Woodall, G. J. Scilla, and F. Cardone, Appl. Phys. Lett. 58, 517 (1991).
12. G. E. Höfler and K. C. Hsieh, Appl. Phys. Lett. 61, 327 (1992).
13. M. C. Hanna, A. Majerfeld, and D. M. Szmyd, Appl. Phys. Lett. 59, 2001 (1991).
14. A. J. Moll, E. E. Haller, J. W. Ager III, and W. Walukiewicz, Appl. Phys. Lett. 65, 1145 (1994).
15. H. M. You, T. Y. Tan, U. M. Gösele, S.-T. Lee, G. E. Höfler, K. C. Hsieh, and N. Holonyak, Jr., J. Appl. Phys. 74, 2450 (1993).
16. Byoung-Ho Cheong and K. J. Chang, Phys. Rev. B 49, 17 436 (1994).
17. H. Fushimi and K. Wada, J. Cryst. Growth 145, 420 (1994).
18. W. Walukiewicz, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 163, 845 (1990).
19. H. Fushimi and K. Wada, Mater. Sci. Forum 196-201, 957 (1995).
20. K. Watanabe and H. Yamazaki, J. Appl. Phys. 74, 5587 (1993).
21. T. J. de Lyon, J. M. Woodall, M. S. Goorsky, and P. D. Kirchner, Appl. Phys. Lett. 56, 1040 (1990).
22. K. Wada, Appl. Surf. Sci. 85, 246 (1995).
23. H. Fushimi, M. Shinohara, and K. Wada, J. Appl. Phys. 81, 1745 (1997).
24. G. A. Baraff and M. Schlüter, Phys. Rev. Lett. 55, 1327 (1985).
25. H. Fushimi and K. Wada, Extended Abstract of the 42nd Spring Meeting of the Japan Society of Applied Physics (unpublished), paper 28p-ZL-5, p. 1226.